Способ создания моп-структур

Способ создания моп-структур

Реферат

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si₃N₄ на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si₃N₄, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H₂-O₂ или H₂-O₂ -HCl, содержащую 1-4% HCl.