Плотников В.Н.
Изобретатель Плотников В.Н. является автором следующих патентов:
![Способ логического контроля правильности обращения к запоминающему устройству микропрограмм Способ логического контроля правильности обращения к запоминающему устройству микропрограмм](https://img.patentdb.ru/i/200x200/8b49d3d0e0552ef32ca30fb279fd067b.jpg)
Способ логического контроля правильности обращения к запоминающему устройству микропрограмм
Класс 42m, 14,„ № 147034 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 174 В, Н, Плотников и Л. Л, Григорьян-Чтенц СПОСОБ ЛОГИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ПРАВИЛЬНОСТИ ОБРАЩЕНИЯ К ЗАПОМИНАЮЩЕМУ УСТРОЙСТВУ МИ КРО П РО ГРАММ Заявлено 10 мая 1961 г. за № 730009/26 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете з1инистров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобрет...
147034![Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика](/img/empty.gif)
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, сл...
1147205![Способ создания моп-структур Способ создания моп-структур](/img/empty.gif)
Способ создания моп-структур
Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхно...
1223789![Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика](/img/empty.gif)
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышени...
1225430![Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика](/img/empty.gif)
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисл...
1233731![Способ создания радиационно-стойких моп-структур Способ создания радиационно-стойких моп-структур](/img/empty.gif)
Способ создания радиационно-стойких моп-структур
Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течени...
1240295![Способ создания подзатворного диэлектрика Способ создания подзатворного диэлектрика](/img/empty.gif)
Способ создания подзатворного диэлектрика
Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся те...
1282767![Способ создания тестовых моп-структур Способ создания тестовых моп-структур](/img/empty.gif)
Способ создания тестовых моп-структур
Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества...
1338720![Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем](/img/empty.gif)
Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем
Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путе...
1356895![Способ создания тонких слоев оксида кремния Способ создания тонких слоев оксида кремния](/img/empty.gif)
Способ создания тонких слоев оксида кремния
Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водор...
1371456![Способ изготовления моп-структур Способ изготовления моп-структур](/img/empty.gif)
Способ изготовления моп-структур
Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диф...
1575841![Герметичное соединение и способ его изготовления Герметичное соединение и способ его изготовления](/img/empty.gif)
Герметичное соединение и способ его изготовления
Использование: в герметичных соединениях, преимущественно с подвижными друг относительно друга деталями, и может быть использовано в судостроении, машиностроении и др. областях для сохранения герметичности соединений в аварийной ситуации, в частности при пожаре. Сущность изобретения: герметичное соединение включает в себя две детали 1 и 2, установленные одна в другой, и кольцевой уплотнит...
2006732![Система объемного пожаротушения Система объемного пожаротушения](/img/empty.gif)
Система объемного пожаротушения
Назначение: изобретение относится к системе объемного пожаротушения. Сущность изобретения: система объемного пожаротушения содержит резервуар с огнетушащим веществом, связанный с распылителями, твердотопливный генератор, установленный внутри резервуара, для получения огнетушащего вещества в виде аэрозольного распыла воды. 1 ил. Изобретение относится к пожарной технике, а именно к системам...
2075316![Система объемного пожаротушения Система объемного пожаротушения](/img/empty.gif)
Система объемного пожаротушения
Использование: в области противопожарной техники. Сущность изобретения: система объемного пожаротушения включает генераторы с твердотопливным аэрозолеобразующим составом и устройство инициирования генераторов при запуске системы. Распыление огнетушащего состава происходит при срабатывании генератора, в каждой точке помещения создается необходимая для тушения пожара огнегасительная концент...
2081640![Система жидкостного охлаждения силовой установки и расширительный бак для этой системы (его вариант) Система жидкостного охлаждения силовой установки и расширительный бак для этой системы (его вариант)](/img/empty.gif)
Система жидкостного охлаждения силовой установки и расширительный бак для этой системы (его вариант)
Изобретение относится к области машиностроения, а именно к системам жидкостного охлаждения силовых установок. Цель изобретения - уменьшение габаритов силовой установки по высоте и повышение надежности работы. В системе жидкостного охлаждения силовой установки, содержащей замкнутый контур циркуляции охлаждающей жидкости, включающий силовую установку с полостями охлаждения, радиатор и цирку...
2170830![Система объемного тушения пожара Система объемного тушения пожара](/img/empty.gif)
Система объемного тушения пожара
Система объемного тушения пожара предназначена для использования в подводных лодках, обитаемых снарядах, капсулах, в которых возникает необходимость тушения пожара без эвакуации людей и без вентиляции в атмосферу. Система содержит емкость со сжатым азотом, раздаточный трубопровод, запорно-пусковую арматуру, нагнетатель с фильтрами для очистки газовоздушной среды от продуктов горения, газо...
2217198