PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Плотников В.Н.

Изобретатель Плотников В.Н. является автором следующих патентов:

Способ логического контроля правильности обращения к запоминающему устройству микропрограмм

Способ логического контроля правильности обращения к запоминающему устройству микропрограмм

  Класс 42m, 14,„ № 147034 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 174 В, Н, Плотников и Л. Л, Григорьян-Чтенц СПОСОБ ЛОГИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ПРАВИЛЬНОСТИ ОБРАЩЕНИЯ К ЗАПОМИНАЮЩЕМУ УСТРОЙСТВУ МИ КРО П РО ГРАММ Заявлено 10 мая 1961 г. за № 730009/26 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете з1инистров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобрет...

147034

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

 Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, сл...

1147205

Способ создания моп-структур

Способ создания моп-структур

 Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхно...

1223789

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

 Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышени...

1225430

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

 Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисл...

1233731


Способ создания радиационно-стойких моп-структур

Способ создания радиационно-стойких моп-структур

 Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течени...

1240295

Способ создания подзатворного диэлектрика

Способ создания подзатворного диэлектрика

 Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся те...

1282767

Способ создания тестовых моп-структур

Способ создания тестовых моп-структур

 Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества...

1338720

Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем

 Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путе...

1356895

Способ создания тонких слоев оксида кремния

Способ создания тонких слоев оксида кремния

 Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водор...

1371456


Способ изготовления моп-структур

Способ изготовления моп-структур

 Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диф...

1575841

Герметичное соединение и способ его изготовления

Герметичное соединение и способ его изготовления

 Использование: в герметичных соединениях, преимущественно с подвижными друг относительно друга деталями, и может быть использовано в судостроении, машиностроении и др. областях для сохранения герметичности соединений в аварийной ситуации, в частности при пожаре. Сущность изобретения: герметичное соединение включает в себя две детали 1 и 2, установленные одна в другой, и кольцевой уплотнит...

2006732

Система объемного пожаротушения

Система объемного пожаротушения

 Назначение: изобретение относится к системе объемного пожаротушения. Сущность изобретения: система объемного пожаротушения содержит резервуар с огнетушащим веществом, связанный с распылителями, твердотопливный генератор, установленный внутри резервуара, для получения огнетушащего вещества в виде аэрозольного распыла воды. 1 ил. Изобретение относится к пожарной технике, а именно к системам...

2075316

Система объемного пожаротушения

Система объемного пожаротушения

 Использование: в области противопожарной техники. Сущность изобретения: система объемного пожаротушения включает генераторы с твердотопливным аэрозолеобразующим составом и устройство инициирования генераторов при запуске системы. Распыление огнетушащего состава происходит при срабатывании генератора, в каждой точке помещения создается необходимая для тушения пожара огнегасительная концент...

2081640

Система жидкостного охлаждения силовой установки и расширительный бак для этой системы (его вариант)

Система жидкостного охлаждения силовой установки и расширительный бак для этой системы (его вариант)

 Изобретение относится к области машиностроения, а именно к системам жидкостного охлаждения силовых установок. Цель изобретения - уменьшение габаритов силовой установки по высоте и повышение надежности работы. В системе жидкостного охлаждения силовой установки, содержащей замкнутый контур циркуляции охлаждающей жидкости, включающий силовую установку с полостями охлаждения, радиатор и цирку...

2170830


Система объемного тушения пожара

Система объемного тушения пожара

 Система объемного тушения пожара предназначена для использования в подводных лодках, обитаемых снарядах, капсулах, в которых возникает необходимость тушения пожара без эвакуации людей и без вентиляции в атмосферу. Система содержит емкость со сжатым азотом, раздаточный трубопровод, запорно-пусковую арматуру, нагнетатель с фильтрами для очистки газовоздушной среды от продуктов горения, газо...

2217198