Ясников В.Е.

 Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхно...

 Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышени...

 Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся те...

 Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водор...

 Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспр...

 Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диф...