Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем
Патент 1542342
Авторы
- Батраков Н.Ф.
- Герасимчик Н.Н.
- Зеленин В.А.
- Лытко Л.Н.
- Попов Ю.П.
- Сенько С.Ф.
- Шевчук И.Г.
- Ясников В.Е.
Классы МПК
Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем
Реферат
Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно отжигают в инертной атмосфере при 950-1200°С в течение 10-60 мин.