PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Зеленин В.А.

Изобретатель Зеленин В.А. является автором следующих патентов:

Сплав на основе алюминия

Сплав на основе алюминия

 Сплав на основе алюминия, включающий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью увеличения адгезионных свойств, он дополнительно содержит магний при следующем соотношении компонентов, мас.%: Медь0,1-8,0 Окись алюминия0,1-8,0 Кремний0,5-1,5 Магний0,5-5,0 АлюминийОстальное

882236

Сплав на основе алюминия

Сплав на основе алюминия

 Сплав на основе алюминия, содержащий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения электромиграционной стойкости сплава при повышенных температурах, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: медь1,0-8,0 окись алюминия0,1-8,0 кремний0,5-1,5 циркон0,1-2,0 алюминийостальное

923215

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

 Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное

928736

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов

 Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количеств...

1025287

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

 Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное

1059778


Испаритель для нанесения нихромовых пленок

Испаритель для нанесения нихромовых пленок

 1. Испаритель для нанесения нихромовых пленок, состоящий из нихромовых проволочных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы, он снабжен стержнем из нихрома, а проволочные элементы выполнены в виде спиралей, одна из которых навита на стержень и между ее витками размещена смесь из порошков хрома и никеля, а другая навита на стержень между витками первой, причем шаг t...

1120706

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий нанесение на две стеклянные подложки групп прозрачных токопроводящих областей, контактных площадок и внешних электродов, нанесение поверх них защитного диэлектрического слоя двуокиси кремния, разделение подложек на пластины, нанесение на пластины слоя, задающего ориентацию жидкого кристалла, соединение пластин попарно по пер...

1176728

Сплав для резистивных пленок и способ его получения

Сплав для резистивных пленок и способ его получения

 1. Сплав для резистивных пленок, содержащий кремний, железо, хром и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью снижения разброса удельного сопротивления и уменьшения температурного коэффициента сопротивления резистивных пленок, он содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: Кремний32,3-33,0 Железо35,7-37,2 Хром13,0-13,7 ВольфрамОстальное 2. Способ получения сплава, включающий плавле...

1281058

Способ измерения удельного контактного сопротивления

Способ измерения удельного контактного сопротивления

 Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление уд...

1284430

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов

 Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов, включающее планарный реактор с расположенной в нем парой электродов, соединенных с высокочастотным генератором, систему газоснабжения, вакуумную систему и систему формирования магнитного поля, выполненную в виде переменнополюсной комбинации постоянных магнитов, отличающееся тем, что, с целью локализации облас...

1289308


Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на одной подложке прозрачных токопроводящих электродов, а на другой прозрачных сплошных областей токопроводящих электродов, разделение подложек на сегментные и общие пластины, нанесение на каждую пластину ориентирующего слоя, соединение пластин, заполнение полости между ними жидким кристаллом, отличающийся тем,...

1294144

Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов

Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов

 Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов, содержащая золото, отличающаяся тем, что, с целью снижения величины остаточных механических напряжений в кристалле, она дополнительно содержит порошок силицида гафния с размером частиц 2-7 мкм при следующем соотношении компонентов, мас.%: Силицид гафния15-30 ЗолотоОстальное

1299028

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов и устройство для его осуществления

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов и устройство для его осуществления

 1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на две стеклянные подложки последовательно наносят электропроводящее покрытие, содержащее группы прозрачных областей, контактные площадки и внешние электроды, и защитный диэлектрический слой двуокиси кремния, удаляют участки диэлектрического слоя с внешних электродов ионно-химическим травлением в скрещенных...

1321261

Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем

Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем

 Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·10...

1345956

Способ изготовления пленочных резисторов

Способ изготовления пленочных резисторов

 Способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение резистивной пленки на диэлектрическое основание, термическую обработку, формирование контактов, подгонку сопротивления и импульсную токовую тренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров, термическую обработку диэлектрического основания с нанесенной резистивной пленкой проводят при температуре на...

1358653


Устройство для вакуумно-плазменного травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления

 Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механ...

1373230

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на стеклянных пластинах прозрачных электродов, нанесение поверх электродов ориентирующего слоя, выполненного из полимера, удаление этого слоя в местах расположения герметизирующего вещества, соединение пластин попарно по периметру герметизирующим веществом и заливку в образованную между пластинами полость жидкок...

1405533

Способ изготовления жидкокристаллического индикатора

Способ изготовления жидкокристаллического индикатора

 Способ изготовления жидкокристаллического индикатора по авт. св. 1176728, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности индикатора, герметизацию заливочного отверстия производят при нагреве ячейки до температуры, на 10-30°С превышающей верхний предел диапазона рабочих температур индикатора.

1409031

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов

 1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на стеклянных пластинах формируют прозрачные токопроводящие электроды, наносят поверх электродов ориентирующий слой из органической пленки, соединяют пластины попарно по периметру, заполняют образованную между пластинами полость жидким кристаллом, герметизируют отверстия и образуют неуправляемые знаки, отлич...

1426279

Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов

Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов

 Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов, содержащее генератор импульсов обработки, блок синхронизации, компаратор, первую и вторую контактные клеммы для подключения резистора, причем вторая контактная клемма соединена с общей шиной, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, оно дополнительно снабжено источником постоянного тока, усилител...

1457683


Способ сборки жидкокристаллического индикатора

Способ сборки жидкокристаллического индикатора

 Способ сборки жидкокристаллического индикатора, включающий нанесение по периметру общей пластины склеивающей термореактивной полимерной прокладки на основе эпоксидноноволачного блоксополимера, в который введены распорные элементы, размещение на общем электроде припойного материала переходного контакта, совмещение рисунков электродов общей и сегментной пластин и соединение пластин склеиваю...

1471870

Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем

 Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспр...

1542342

Мишень для магнетронного распыления в вакууме

Мишень для магнетронного распыления в вакууме

 Мишень для магнетронного распыления в вакууме, содержащая диск из распыляемого немагнитного материала с углублениями и концентричные полюсные наконечники, расположенные в углублениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе за счет уменьшения деформации мишени при ее разогреве, углубления выполнены с нераспыляемой стороны диска, а полюсные наконечники выполнены из мат...

1580860

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины

 Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отли...

1600189

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела si - sio2

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела si - sio2

 Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышени...

1662298