Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела si - sio2

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела si - sio2

Реферат

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO ₂, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышения скорости травления, травление осуществляют при температуре 950-1220°С при концентрации хлористого водорода 0,5-10 об.%.