Снитовский Ю.П.

 Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кр...

 Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металл...

 1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, пере...

 Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, за...

 Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением шири...

 Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле к...

 Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первона...

 Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно...

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий нанесение на две стеклянные подложки групп прозрачных токопроводящих областей, контактных площадок и внешних электродов, нанесение поверх них защитного диэлектрического слоя двуокиси кремния, разделение подложек на пластины, нанесение на пластины слоя, задающего ориентацию жидкого кристалла, соединение пластин попарно по пер...

 Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществл...

 Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину вы...

 Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтори...

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на одной подложке прозрачных токопроводящих электродов, а на другой прозрачных сплошных областей токопроводящих электродов, разделение подложек на сегментные и общие пластины, нанесение на каждую пластину ориентирующего слоя, соединение пластин, заполнение полости между ними жидким кристаллом, отличающийся тем,...

 1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на две стеклянные подложки последовательно наносят электропроводящее покрытие, содержащее группы прозрачных областей, контактные площадки и внешние электроды, и защитный диэлектрический слой двуокиси кремния, удаляют участки диэлектрического слоя с внешних электродов ионно-химическим травлением в скрещенных...

 1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на стеклянных пластинах формируют прозрачные токопроводящие электроды, наносят поверх электродов ориентирующий слой из органической пленки, соединяют пластины попарно по периметру, заполняют образованную между пластинами полость жидким кристаллом, герметизируют отверстия и образуют неуправляемые знаки, отлич...

 1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рису...

 Способ сборки жидкокристаллического индикатора, включающий нанесение по периметру общей пластины склеивающей термореактивной полимерной прокладки на основе эпоксидноноволачного блоксополимера, в который введены распорные элементы, размещение на общем электроде припойного материала переходного контакта, совмещение рисунков электродов общей и сегментной пластин и соединение пластин склеиваю...

 Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышени...

 Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения вых...

 Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью эн...

 Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10-4 Па, введения фторсодержащего газа BF 3, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контакто...

 Способ формирования рисунка в полиимидной пленке, включающий нанесение на полупроводниковую подложку пленки полиамидной смолы, обработку участков пленки и травление не обработанных участков пленки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет исключения фотолитографии, обработку проводят путем одновременного фотонного облучения дозой не менее 0,6 МДж·м-2 при мощности...

 Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку, включающий обработку подложки и формирование слоя полиимидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, обработку подложки осуществляют в плазме, содержащей ионы фтора, в течение 1-100 с, а перед формированием слоя полиимидной смолы подложку выдерживают в атмосфере, содержащей аммиак в течение 1-1000 с.

 Способ изготовления транзисторов, включающий формирование пленки оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, легирование области охранного кольца, вскрытие в пленке оксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности подложки пленки термического оксида кремния, вскрытие в ней эмиттерных окон, легирование базовой области путем ионного внедрения примеси в кре...