Способ изготовления кмдп интегральных схем

Способ изготовления кмдп интегральных схем

Реферат

 

Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и энергией, такой, чтобы длина среднего проективного пробега ионов примеси n-типа удовлетворила условию

где - дисперсия пробега ионов n-типа, а имплантацию ионов примеси p-типа проводят после создания маски, но до ее травления с энергией ионов, такой, чтобы длина среднего проективного пробега ионов p-типа была не меньше толщины маски.