Способ создания омических контактов к кремнию

Способ создания омических контактов к кремнию

Реферат

 

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10^-4 Па, введения фторсодержащего газа BF ₃, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF₃ вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%:

Четырехфтористый углерод 15-25Водород 15-30 BF₃Остальное

до создания вакуума (3,2-8,0)·10^-2 Па.