Способ изготовления свч-транзисторов

Способ изготовления свч-транзисторов

Реферат

Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n⁺-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.