H01L21/76 - получение изоляционных областей между компонентами

Способ изготовления интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем,...

1060066

Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов

СПОСПБ ИЯГОТПВЛЕНИЛ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРПВПЛНИКПВЫХ ПРИБОРОВ,включающий операции формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке С маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытие контактных областей к элементам структуры, формирование металлизированной разводки и канавок разделительной изоляции , нанесение защитного диэлектрического покрытия на рельефную поверхность...

1102433

Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

(19)SU(11)1108966(13)A1(51) МПК 5 H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем, в частности транзисторных стру...

1108966

Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подле...

1111634

Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

(19)SU(11)1116919(13)A1(51) МПК 5 H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых схем, в частности к изготовлению интегральных схе...

1116919

Способ изготовления структур мдп-приборов

(19)SU(11)1168021(13)A1(51) МПК 6 H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ПРИБОРОВ Изобретение относится к технологии изготовления МДП-приборов и интегральных схем, в частности к формированию изолированных областей, в которых изготавливаю...

1168021

Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной приме...

1178269

Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления изоляции элементов сверхбольших интегральных схем. Цель - упрощение технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышение выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках. Согласно изобретению, заполнение канавок двуокисью кремния производят пиро...

1340500

Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспр...

1542342

Способ создания диэлектрической изоляции

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к способам формирования диэлектрической изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества диэлектрической изоляции за счет снижения плотности встроенного заряда. В данном способе в областях будущей изоляции формируется пористый кремний электролитическим анодированием в плав...

1568817

Способ изготовления микросхем с диэлектрической изоляцией элементов

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель - повышение плотности упаковки элементов и упрощение способа за счет уменьшения глубины изолирующих канавок, а также улучшение электрических характеристик микросхем за счет полной диэлектрической изоляции высоковольтных транзисторов. Для этого при изго...

1686982

Способ изготовления структур ис с диэлектрической изоляцией

Изобретение относится к микроэлектронике. в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Цель - снижение трудоемкости за счет сокращения количества технологических операций и повышение выхода годных за счет увеличения прочности структур. Для этого в технологическом процессе изготовления структур ИМС в кремниевой подложке формируют изолирующие канавки, создают диф...

1690512

Способ изготовления транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых интегральных схем, в частности к изготовлению быстродействующих интегральных схем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Целью является повышение выхода годных структур по напряжению пробоя за счет исключения попадания фосфора в области скрытых слоев. Способ включает вакуумную диффузию мышьяка в кремни...

1702826

Способ изготовления высоковольтных интегральных схем с диэлектрической изоляцией

Использование: микроэлектроника, технология изготовления высоковольтных интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Для увеличения выхода годных за счет уменьшения глубины разделительных канавок выполняется следующая последовательность технологических операций: максированные нитридом кремния на поверхности кремниевой монокристаллической пластины n-типа областей, соответствующих располо...

1739805

Способ изготовления полупроводниковых структур

Использование: технология изготовления полупроводниковых структур. Сущность изобретения на поверхности кремниевой подложки формируют первый диэлектрический слой из двуокиси кремния, первый слой поликристаллического кремния, формируют электроды, второй диэлектрический слой на поверхности электродов их термическим окислением Затем осаждают второй слой поликристаллического кремния,...

1774398

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных схем из борофосфоросиликатного стекла

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбор...

1780467

Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов

Использование: микроэлектроника, технология изготовления структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией эпементоа Сущность изобретения: при изготовлении структур с диэлектрической изоляцией элементов проводят механическую обработку кремниевых подложек, формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями, скрытый слой, слой диоксида кремния и сл...

2002340

Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов

Использование: микроэлектроника технология изготовления структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементоа Сущность изобретения: в способе получения структур с диэлектрической изоляцией элементов проводят механическую обработку кремниевых подложек формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями и скрытый слой, формируют слой диоксида...

2002341

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов

Сущность изобретения: на поверхность полупроводниковой пластины со сформированными структурами полупроводниковых приборов наносят слой металла омического контакта. По этому слою формируют маску фоторезиста по разделительным дорожкам. На свободные участки наносят защитное механическое покрытие, удаляют маску фоторезиста. Химически разделяют пластину на кристаллы. Защищают образовавшиеся бо...

2012094

Способ изготовления кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией

Использование: микроэлектроника, технология изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией элементов проводят двустороннюю механическую обработку исходной монокристаллической и опорной кремниевых пластин, формируют в исходной монокристаллической кремниевой пластине рельеф и скрытый слой...

2018194

Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов

Использование: технология изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: способ изготовления структур интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов включает соединение двух кремниевых пластин с использованием соединительного слоя следующего состава, мол.%: диоксид кремния, полученный плазмохимическим способом, 0,077Т-14,216, оксид бора остальное до 100% , где Т - температ...

2022404

Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов

Использование: в технологии изготовления интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов. Сущность изобретения: осуществляют соединение кремниевых подложек, в соединительный слой входит слой поликристаллического кремния, диоксида кремния, соединения боросиликатной системы, полученные синтезом из раствора оксида бора в органической среде. Термообработка структуры осуществляется в к...

2022405

Способ изготовления микросхем с диэлектрической изоляцией

Использование: в микроэлектронике, технологии изготовления высоковольтных мощных микросхем с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении микросхем с диэлектрической изоляцией на плоскопараллельной монокристаллической слаболегированной кремниевой пластине вытравливают разделительные канавки, формируют сильнолегированный скрытый слой того же типа проводимости, что и п...

2024108

Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов

Использование: в микроэлектронике, технологии структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: по способу получения структур с диэлектрической изоляциеи проводят механическую обработку кремниевых подложек, формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями, скрытый слой, слой диоксида кремния и слой поликристаллического кремния тол...

2035805

Способ получения опорного слоя полупроводниковой структуры кремний-на-диэлектрике

Использование: в технологии изготовления интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Сущность: формирование опорного слоя ведут посредством направления на поверхность слоя диэлектрического материала потока порошка кремния, его нагрева и осаждения в расплавленном состоянии на движущуюся и нагретую до температуры 800-1000oC полупроводниковую пластину. Нагрев порошка осуществляют фотонным...

2083025

H01L21/76 - получение изоляционных областей между компонентами

Патенты в этой категории