Способ защиты кристаллов кремния

Способ защиты кристаллов кремния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 12h, 1

121, 38 № 137893

СССР

f,»1 иг

Т Хп11™

° 1) / .i1

БИБ 1ИОТЫд

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписные группы ММ 43 и 4а

В. Г. Мельник, Л, А. Дубровский и Л. Л. Одинец

СПОСОБ ЗАЩИТЫ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Заявлено 17 иктня 1960 г ва,Л" 670386 23 в Комитет по делам изобретений и открытий ири Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б|оллетене изобретений» М 9 ва 1961 г.

Известен способ защиты кристаллов кремния от внешних химических воздействий созданием на их поверхности оксидного защитного слоя. С этой целью кристаллы кремния подверга1от электрохимпческом окислению в растворах солей, кислот или основанп11. Однако вследствие того, что при электрохимическом окислении слой окисла содержит H себе элементы, входящие в состав электролита, данный способ непригоден для получения чистых окпсных пленок, необходимы.; для защиты кристаллов кремния полупроводниковых приборов. Кроме того, применение мHîãîкомпонентных электрохиMè÷åñêèх растворов связано со сложной задачей предварительной очистки исходных реактивов.

B отличие от известного, предлагаемый способ предусматривает элекртохимическое окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимую чистоту и достаточну|о толщину оксидного покрытия.

Практическое осуществление способа заключается в следующем. На дне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 — 10 лл в специальной ячейке закрепляют кремппевып анод, подлежащий покрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 — 1,5 лгол. сл, После того как электрохимическая ячейка собрана и залита водой, на электроды подают ток напряжением 20 — 30 в. В процессе оксидпро№ 137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в начальный период> до достижения насыщения, что соответствует толщине оксидной пленки порядка 2000 А. Толщину пленки определяют емкостным методом, предполагая, что диэлектрическая проницаемость пленки равна диэлектрической проницаемости кварца. Тангенс угла диэлектрических потерь для окисленного кристалла равен 0,1.

Предмет изо бр етения

Редактор С. А, Барсуков Техрсл А. А. Камыгиникоза Корректор Ю. Рябцова

Формат бум 70Х 108 /ig

Тираж 650

ПЬТИ прп Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, И Черкасский пер., д, 2/6

Объем 0,17 усл. п, л.

Цена 3 коп

Полн, к печати 18/3 --61

1055

Киржа нская гипография отдела издательств и полиграфической промышленности

Владимирского областного Управления культуры.

Способ защиты кристаллов кремния, например, полупроводниковых приборов, от внешних химических воздействий путем создания оксидной пленки электрохимическим окислением, отличающийся тем, что, с целью упрощения окисления, его проводят в чистой, например, обессоленной воде, и используют в качестве катода кремний.