Носачев Б.Г.
Изобретатель Носачев Б.Г. является автором следующих патентов:
Способ выращивания кристаллов селенида цинка
(19) 5II (11) 1111†(51) В 11 02 союз совктских социллистичкских юксы влик гоюдмствкннок ш ткнтнок вкдомство cccr iтосимпат ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3598673/26 (22) 27.05.63 (46) 30.12.93 Ееа йв 47-43 (72) Коновалов ОМ; Кобзарь-Злее о ВА; Носачев (S4) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА 1157889 Изобретение относится к способам выращ...
1157889