Способ выращивания кристаллов селенида цинка

Способ выращивания кристаллов селенида цинка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(19) 5II (11) 1111†(51) В 11 02 союз совктских социллистичкских юксы влик гоюдмствкннок ш ткнтнок вкдомство cccr iтосимпат ссср

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3598673/26 (22) 27.05.63 (46) 30.12.93 Ееа йв 47-43 (72) Коновалов ОМ; Кобзарь-Злее о ВА; Носачев (S4) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

СЕЛЕНИДА ЦИНКА

1157889

Изобретение относится к способам выращивания кристаллов из расплава кристаллизуемого соединения и может найти применение в. химической промышленности. при получении кристаллов тугоплавких и разлагающихся соединений.

Иэделия иэ полдпроводниковых материалов типа А В, обладая высокими оптическими, механическими, люминесцентными и другими характеристиками, находят,-.применение, например, в технике средств отображения информации АСУ, в. электронной, ядерной и лазерной технике.

Кристаллы селенида цинка обладают низким коэффициентом оптического погло-. щения в ИК-диапазоне и применяются в качестве оптических элементов (окна, линзы) мощных ИК-лазеров.

Целью изобретения является улучшение оптических свойств кристаллов селенида цинка.

На чертеже представлено изменение коэффициента поглощения ф) кристаллов селенида цинка в зависимости от давления инертного газа в ростовой камере.

Как видно из чертежа, при прочих равных условиях . выращивания коэффициент поглощения выращенных кристаллов, измеренных на лине волны 10,6 мкм, при 2 ат равен 2,6 10 см при 5 ат 2,2 10 з см 1, при 10 ат 1,9 10 см и вновь возрастает при 20 ат до 2,4 10з см1 и при 25 ат до

2,6 10зсм

Пример. Предварительными опытами

В заВисимости от конфигурации ВиткОВ нагревателя и потребляемой мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразноФормула изобретения

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при этом параметрами, осуществляют последующее выращивание кристаллов, Предварительно оплавленную исходную массу селенида цинка кристаллизуют при пропускании тигля со скоростью

1,0 см/ч через температурный градиент на10 гревателя при ширине зоны расплава 2 см и манометрическом давлении инертного газа в компрессионной печи 10 3 ат.

Изготовленные из кристалла оптические

15 элементы диаметром 6,0 см и высотой 10 см имеют коэффициент поглощения на дзлине волны 10,6 мкм в пределах 2-1,9 10 см .

Приведенные технологические параметры являются оптимальными и обеспечи20 вают получение совершенных кристаллов.

Использование предлагаемого способа выращивания кристаллов селенида цинка обеспечивает по сравнению с известными уменьшение размера пор в кристалле более

25 чем на порядок и снижает величину показателя поглощения более чем в 2 раза. (56) Авторское свидетельство СССР

М 681626, кл. С. 30 В 11/02, 1977.

30 Кулаков M.Ï., Савченко И.Б„Фадеев

А.В. Некоторые свойства кристаллов селенида цинка, получаемых из расплава, 6-я

Международная конф. по росту кристаллов.

Москва; Расш. тез„т. 3 Рост из расплава и

35 высокотемпературных растворов, Метод. материалы, М„1980, с. 185-196

Авторское свидетельство СССР

N 713014, кл. С 30 В 11/02, 1978;

40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения on45 тических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давления инертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас5р тущим кристаллом.

1157889

Р2

Ю Zg 4am

Составитель В. Новиков

Техред М.Моргентал

Редактор В. Кузнецова

Корректор С.Шекмар

Заказ 3465

Тираж Подписное

HPО "Поиск" Роспатента

113035, Москва. Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101