МАЦКЕВИЧ В.М.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП- -v МИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ПОШАГОВОГО РЕПРОДУЦИРОВАНИЯ , включающий процессы окисления Si-подложки, фотолитографического травления кремния в Ьбласти знаков сов 1ещения на кремн гевых пластинах через маску окисла, ; удаления окисла, окисления кремния, локального окисления кремния в пассивных областях микрд схем через маску из SijNi, окисления под затвор, фотолит...

  Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на фотолитографических операциях . Цель изобретения - улучшение равномерности покрытия. Фоторезист. (Ф) наносится и сушится на кремниевых подложках (П) методом центрифугирования. HoBbw в способе является то, что нанесение Ф проводят при переменной скорости вращения П, а сушку Ф провидят при скорости вращен...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИО ДИСТИЧЕСНИХ РЕаЪВЛИИ гссуди ственный комитет пО изсБРетениям и ОткРцтиям Г1РИ ГКНТ СССР ;(чб} 23. 12. 90. Бюл, Ф 47 (21) 4428366/24-21 (22) 23 05 88 (72) И.П.Баргий, А.С.Дзян и В.H.Мацкевич (53} 621,382.092(088.8) (56) Патент СИА Р 4268347, кл. В 44 С 1/22, 1983. Гузь Н.В., Журавлев В.П. Прецизионное совмецение технологических слоев по рельефным знакам...