Способ изготовления мдп-микросхем методом пошагового репродуцирования

Способ изготовления мдп-микросхем методом пошагового репродуцирования

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП- -v МИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ПОШАГОВОГО РЕПРОДУЦИРОВАНИЯ , включающий процессы окисления Si-подложки, фотолитографического травления кремния в Ьбласти знаков сов 1ещения на кремн гевых пластинах через маску окисла, ; удаления окисла, окисления кремния, локального окисления кремния в пассивных областях микрд схем через маску из SijNi, окисления под затвор, фотолитографического формирования затворных электродов, диффузии легирующей примеси, фотолитографического вскрытия контактных окон, формировапия металлических межсоединений, отличающийсяя тем, что, с целью повьш1ения технологичности процесса изготовления МДП-микросхем с пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных деQ S фектов в кремнии, после окисления : кремниевой подложки осаждают пленку (Л Si:jN4 и затем через полученнзпо маску SiOg. - Si-jN формируют знаки совмещения и пассивные области микросхем.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЩИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

Д1) Н 01 1 21j82 (-.9 ,I t

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. C .. ° .

I -ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К А ВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 3702598/24-25 (22) ZO. 02. 84 (46) 23.10.90. Бюл. В 39 (72) В.М.Мацкевич, А.И.Москалевский, Н.И.IIepoaa н В.А.Ярандин (53) 621,382 (088.8) (56) Отчет о НИР "Истина П" "Разработка технологии фотолитографии для получения БИС с размером элементов

1 2-1 5 мкм методом проекционной литографии", 1981.

Отчет о НИР. Разработка техноло-, гии автоматического проекционного мультиплицирования изображения на кремниевых пластинах. 1978. (54)(57) СПОСОБ. ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДПМИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ПОШАГОВОГО РЕПРОДУЦИРОВАНИЯ, включающий процессы окисления Si-подложки, фотолитографического. травления кремния в обИзобретение относится к технологии изготовления МДП-микросхем с применением локального окисления и литографии с пошаговым репродуцированием и может использоваться при формировании знаков совмещения для автоматического совмещения топологических слоев.

Целью изобретения является повышение технологичности процесса изготовления МДП-микросхем,с пошаговым репродуцированием и уменьшение плотности поверхностных дефектов .

На фиг.1 показана структура со знакам совмещения в слое фоторезиста;

2 ласти знаков совмещения на кремниевых пластинах через маску окисла, удаления окисла, окисления кремния, локального окисления кремния в пассивных областях микрбсхем через маску из Si>N+, окисления под затвор, фотолитографического формирования затворных электродов, диффузии легирующей примеси, фотолитографического вскрытия контактных окон, формирования металлических межсоединений, о т л и ч а ю щ и и с.я тем, что, с целью повышения технологичности процесса изготовления МДП-микросхем с пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных дефектов в кремнии, после окисления кремниевой подложки осаждают пленку

Si Nq затем через полученную маску

Si0 - Si>N@ формируют знаки совмещения и пассивные области микросхем.

CO на фиг.2 - структура с V-канавкой, © на фиг.3 - локальное легирование кремния бором„íà фиг.4 — структура мик- СЛ роехемы.

4Л

Принятые условия обозначения: пластина 1, окисел 2, нитрид кремния 3, фотнреэист 4, V-канавка 5g фо-. торезист 6, легирование бором 7, локальный окисел 8, металл 9, затворный окисел 10, поликремний 11 меж- 4 слойный диэлектрик 12.

Пример. После очистки пластины кремния марки КДБ (100) окисляют о до толщины окисла 500+50A производят осаждение нитрида кремния толщиной

1199155

1500+lOOA методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление i

5 нитрида кремния и химическое травление окисла кремния. После удаления фоторезиста осуществляют анизотропное травление кремния в трагителе состава

КОН 32 r сухого вещества 10

Иэопропиловый спирт 250 мл

Вода 375 мл при температуре травителя 70-75 С, о

После этого сделав очистку пластин и фотолитографию по созданию 15 маски из фоторезиста, выполняют операции легирования бором разделительных областей KpeMpHHR(и ПХТ незащищенных фоторезистом участков нитрида кремния ° После химического травле- 20 ния послойного окисла удаляют фоторезист, производят очистку пластин и локальное окисление кремния до толщины окисла 1,0-1 1 мкм. Для формирования подлегированных затворных 25 областей кремния выполняют последовательно фотолитографию по созданию топологических рисунков в слое фоторезиста с операциями локального ионного легирования кремния соответственно фосфором и мышьяком, фоторезист при этом удаляют после каждого легирования.

Затем стравливают жидкостным методом нитрид кремния и тонкий подслойный окисел.

После очистки пластин формируют подэатворный окисел толщиной 700+50A; выполняют фотолитографию по вскрытию специальных контактных окон, осаждают поликремний толщиной 0,5-0,6 мкм.

Далее проводят фотолитографию по созданию затворных участков и межсоединений из поликремния.

После формирования активных областей легированием осаждают межслойную пленку, фосфорно-силикатного стекла (ФСС) толщиной 1,6+0,2 мкм и выполняют фотолитографию по вскры-. тию контактных окон, напыляют слой металла толщиной 0,8-1,0 мкм, выполняют фотолитографию по формированию металлизированной разводки., Заключительные операции изготовления схемы — создание пассивирующего покрытия из окисла кремния толщиной 0,6-0,7 мкм с окнами над контактными площадками из металла и низкотемпературный отжиг пластин.!

l99155

4Ьь1 с

Редактор О.Юркова Техред Л.Олийнык

Корректор A.oñàóëåíêî

Заказ 4355 Тираж 462 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101