ЯРАНДИН В.А.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий стравливание нитридной маски и акисного подслоя с активных областей МДП интегральных схем и формирование подзатворного окисла, отличающийс я тем, что, с целью повышения процента выхода годных схем путем устранения низковольтных пробоев подзатворного окисла, перед формированием подзатворного окисла проводят дополнительную обраб...

  СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕ; ЗИСТИВНОЙ МАСКИ ДДШ ПЛАЗМЕННОГО TPABЛEHИЯ включающий операции канесени .ч фоторезиста н-; подложку, сушку, экспонирование, проявление изображеки .я, отличают i; йен тем, что, с целью сокращения технологического цикла изготовления фоторезистивной маски из фоторезиста с крутым профилем боковых стенок, после проявления изсбражения проводя, в течение 055-5...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП- -v МИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ПОШАГОВОГО РЕПРОДУЦИРОВАНИЯ , включающий процессы окисления Si-подложки, фотолитографического травления кремния в Ьбласти знаков сов 1ещения на кремн гевых пластинах через маску окисла, ; удаления окисла, окисления кремния, локального окисления кремния в пассивных областях микрд схем через маску из SijNi, окисления под затвор, фотолит...

  Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем с повышенной плотностью элементов. Целью изобретения является сохранение сплошности фоторезистивной маски С крупным профилем края и сокращение длительности технологического процесса. При изготовлении полупроводниковых микроструктур на подпожку наносят поликремний,, окисел кремкия и алюминий, формируют маску из фото...

  Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на фотолитографических операциях . Цель изобретения - улучшение равномерности покрытия. Фоторезист. (Ф) наносится и сушится на кремниевых подложках (П) методом центрифугирования. HoBbw в способе является то, что нанесение Ф проводят при переменной скорости вращения П, а сушку Ф провидят при скорости вращен...