Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления

Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕ; ЗИСТИВНОЙ МАСКИ ДДШ ПЛАЗМЕННОГО TPABЛEHИЯ включающий операции канесени .ч фоторезиста н-; подложку, сушку, экспонирование, проявление изображеки .я, отличают i; йен тем, что, с целью сокращения технологического цикла изготовления фоторезистивной маски из фоторезиста с крутым профилем боковых стенок, после проявления изсбражения проводя, в течение 055-5 мин плазменную обработку фоторезиста в ВЧ-диодной системе в иННртной среде при давлении 0,1 -. 100 Па, удельной мощности 0,5 - 1.5 Вт/см.и теьшературс подложки с 20-80 С, а затем выполняют высокотемпературную сушку при 120-210 С.

союз советсних социАлистичесних

РЕСПУБЛИН

„„SU„, 1099/76

1 51)5 Н О .1 21/30о

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ1ЕМИЯ

И ABTGPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ пРИ гкнт сссР (21) 3487 183/ 18-25 (22) 23. 08. 82 (46) 23. 10,90. Бюл. - 39 (72) А.С,Ткаченко, П,С.Бугай и В.А.Ярандин (53) 62 1 . 382 (088. 8) (56) Adams А., Capio С. Edge. Prof iles in ihe Plasma Etching of Policтуз .а1ine Silicon. J,of the Electrochemical Scciety, 1981, m. 128, Ф 2, р.р. 366-370.

Патент CilIA У 4244799, кл. 204/.192, опублик. 1981, .(54)(57) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕзистивной мАски для плАзмкнногоИзобретение относится к технологии изготовления интегральных схем с повышенной плотностью элементов.

Известен способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления, в котором для увеличения стойкости фоторезиста при плазменном травлении, особенно при травлении слоев толщиной более 1 5—

2 мкм, после проявления изображения на фоторезисте проводят высокотемпературную сушку вплоть до 210 С.. е

Однако, если после проявления фоторезиста можно получить профиль на фоторезистивной маске, близкий к вертикальному (краевой угол, близкий к 90 ), то при высокотемпературной сушке краевой угол уменьшается. Так,, при температуре сушки 90 С он составо ляет 60, при 140 С вЂ” 45, при

210С- 25

ТРАВХЯНИЯ включающий операции нанесения йаторезнста н... подложку, сушку, зксi-.cíèðoâàние, проявление изображения, отличающийся тем, что,. с UpJIbN сокрашения технологнческо"o цикла изготовл" íèÿ фоторезистивной маски из фоторезиста с крутым профилем боковых стенок, после проявления изображения проводя в течение 0,5-5 мин плазменную обр ботку фоторезиста в ВЧ-диодной системе в ин ртной среде при давлении 0,1

100 Па, удел,ной мощностI: 0,5-5 Вт/см .и температуре подложки

Э

20-80 С, а затем выполняют высокои 0 температурную сушку при 1 лО-210 С, Таким образом, применение высокотемпературной сушки фоторезиста для увеличения его стойкости приводит к искажению изображения за счет saкругления края рельефа фоторевиста и значительному уходу размеров при псследующем плазменном травлении за счет уменьшения значения краевого угла. Это обстоятельство затрудняет формирование злементов ИС а подлож.ке с высокой точностью н ограничивает применение прецизионного метода плазменного травления лри формировании элементов СБИС, Наиболее близким техническим решением является способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления, включающий операции нанесения фоторезиста на подложку, сушку зкспонирование, проявление изображени,я..! !) ))т! )С T-,.П 1 > 0 Я 13 ""

)зп(с ) г .

1 )" <) Г

0 ., I С31)((1

n0Ir)т:;:: ;.)(;Н. I

) -. "- - .:.. :. я з .. я г т

li

) )! г,т. я >!

y: зль

)т (1<0 —,-.

)(. >, Е p, . T -ттЕ) 1.0!АКОГO.>к - >ьтвяtr>т)

7 т 1 1.1 г-)-От1

;-с —.;:т: -. Ой) (? г»!

iI> тт( T Г г)

) t.(П) г; . : 11-:" >т

Несмотря на ряд дис t r>.-..нс - :: ., вестный способ имеет сугцес г н н:и:;.". недостаток - это сло)кностl: )>;) ". 3:. ттии, и большая д.гтите ттьнr). —;т-, Г "(TIPC(<ОГО ДИК:Id I; ЗГОТC!!Jre: t;;.Т( а)тетив(той(Ia(ки нэ-" =; нс(б:.o -т),г," проведения доно>гнительн > < спг:!>I» .; нанесения =-,àJ(Hепого слоя пa S i (?, C. нанесения в,орогс слоя:!>отар(- :: - его экипопироватптя,, про;;H,r!åø!>I и сушки, реак гивно. о ионного тра;,»;

SiOg и слоя толе:ого фсторе.тн т:, Целью изобре- ения я -гяе гс>) cio <,;»

НИЕ тЕХНОЛОгтЧ.PC(<01"O Цт -.;J(; згii,; . ния фоторезистивно Т;-.аскц с

ПРОфИЛPM ООКОВЫХ С . ОНОК ., тель достт)т.ае г,I тек>. rt To 1> с — . . бгз фор (ИротЗ а)Н>я фОЗ)С р)=3 "(C ГHBI.;О: (т(к J> С т)ШКУ C I!O >IÐ() ГЧ. II . >I

ПРОЯВЛЕНИЕ "i305pа „O ЛЕ;! О>;3 пения изобра>кения проводят е те-а>н-:.

О, 5-. > мин I!; а зия(11 ".. 0(Jpàáo Тку:(к-. -.-. р еЗист 1 в БЧ диодно «. исто: >е т:Iн = ной среде при павленит-. О.-,: -,00 1:)!

Вт удельной мощности 0 r 5-= ) ) . I i пературе подло>кки 20- г>)0

ВЫПОЛНЯЮТ Br)10 iJI(О "ОМ>! Е ра ." ) !. Пг! ((pH (е>,(пе о ту )-) е !:) 0-- 2 f 0 0

В РЕЗ ) ЛЬ T а Те КС М Л".I< ".ПО ГГ . В С)3 г,):.

СтВИЯ На фот;РОЗНО (У>гЬТРафиапстОНО излучения i> 1 p=.: i;> -„,-... 3JI!-к рo> Iro. ионной б омбарднро;-; кт > я T!= К><с ностного нагре ra фотсрезттс . а 3=: нейтрализатгии на и=-г" иопог) про. дит обработка фо Opc3Hicта> (i>.;о-,з» приводит к образсвrtнию на е о t>оверх(тости тон к о го 3 г! >-бле нно го:то. : фиксирующе го крутой:-гофиль ма -:;=, Далее проводят высо(отемперат- О--,. вторую сушку при Т =- ) 20-21! o..::

,т(ающую плаз !ocтойкостl) r)r>то! "—; H.—.т.:.-: ной маски.

ПрИВЕдЕ)тнтт." Грат;;. Н-,„=;>(я т ЗЕ>т(ИМ(ЗБ 3()IIIOJITIÅ !- )Н! t! T>O! Е) < Я .(I - 1 ной обработки и ттт,!с ) ко зr".>I. я; а t ..-i;; ! ушки га)занти)>угг)т н;>-ггт.о.t3- зод- ".";r;ã: грормиров ание т, руто г (поз>)т!.г-:.т;.. с к; вых стенок ма(.кн, 0т::.:ti>!",()г)е

ИОВ 3 а 1>ИЕ> !ЗЛЕt(E!yt!I ГР Я (1. IT L!3(! неконтролируе. о() т(ть!е тт= H- г вог() .: i;-. (>Око(за(к стг и:):< фо Гооез(-с-,-т-;-;1101! >г" i ; р И ? !1 )) I(: г:IOT.) г()0!.. На -..Ос я. г лай фот(рс -I (т:i Ф I-.",ß I, г)!(!! it;;oi) т .> МК;т. (r>r .,Е г -;.Ill)

i,, pH f (т,) (!! 1 i Irci !;T) )- / . .;11 ) т>() г);. ,->с, .! ;: > Г;1, С: .. гз i г....) i>:.,— -iTI(r)t„ с>- ..с = 3,)), С !)Я.т.)3))(!",! ) )?) 1) -ГР)1.1 0 :: ;, - .- -ече-"

i!:(o тем 11 с: ..:-.;.-.:, при ..., — (т-„(>. !

: -" "" : - -> .. ЛЕ; I O ò--1) г. г

). .гз . . 1 я 1:; ни -) )т ) б ) ),—

1 .) " ) ),, (3 )ЕЕ тгс! ", В I с: I

l 1) ) . -! .

) )09С7 б

B год.

Редактор О.Юркова Техред Л.Олийнык корректор Л, Осауленко

Заказ 4355 Тираж 4б1 Подписное

ВЯКАЛИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при KHT СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб... д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент, г.ужгород, ул. Гагарина,101 адгезию фоторезиста к подложке, а также формировать близкий к вертикальному профиль после высокотемпературной сушки, что позволяет формировать элементы ИС с повышенной точностью и дает возможность полнее использовать прецизионный метод плазменно."о травленчя при формировании элементов

GHHG. IO

Изобретение проще известного способа, приведенного в качеcòâå прототипа, позволяет сократить технологический цикл формирования фоторезистив-)g ной маски с крутым профилем боковых стенок„ поскольку исключает ряд процессов; оса::кдение слоя двуокиси кремния на фоторезист, нанесение слоя фоторезиста, травление слоев двуокиси кремния и слоя фоторез;ста, О ... позволяет формировать элементы И плазменным травлением ": уходом раз маров и ..нее О, 1 мкм

Ра:iò ожидаема "о годового экономического эффек.:а oò внедрения дан-. ного спссоба формирования фотсрезистивной маски проводят н соответствии с "Отраспевой методикой определения экономическо . эффективности использования в народном хозяйстве новой техники, изобретений и рацио. ft нализаторски;: предложений „утвержденной 13. .2,i8 г. Б качестье базо-вого варианта используют способ, приведенный в прототипе, Ожидаемый э.;о.:омическнй эффек". or внедрения изобретения составит около 55 тыс,, уб: