H01L21/3105 - последующая обработка — все патенты категории

Способ определения экспозиции засветки фоторезистов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 23239! Союз Советскиз Социалистических Республик. -;1-; 1,л. 21g, 11/02 Зав11симос от авт, свидетельства М Заявлено 19.IX.1967 (№ 1184237(26-25) с присоединением заявки МвЂ” Приоритет МПК Н 01l Д1 621.384.4(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано 11.XI 1.1968. Бюллетень Л 1 за 19...

232391

Патент ссср 354681

1 " г-," ОЙ ИСАЙИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ 354681 Сова Советских Социалистических Республик Зависимый от патента 1ч" Заявлено 25Л11.1970 (№ 1418741/26-25) М. Кл. Н ОИ 71164 Приоритет 26.Ш.1969, 1ч ЮР 21g/138798, ГДР Комитет по делам ивобретеннй и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано 09.Х.1972. Бюллетень М 30 УДК 621.382.001.3 (088.8) Дата опубли кованпя описания 2...

354681

Способ получения линейных изображений

Нсес -1. г рнаЯ О fl ф."А..Ы-,Й Е ИЗОБРЕТЕНИЯ (ii) 44УИО Союз Советских.Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 27.06.72 (21) 1801839/26 25 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 15.12.74, Бюллетень ¹ 46 Дата опубликования описания 07.04.75 (51) М. Кл. Н 011 7/64 Государственный комитет ,Сове...

447110

Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕ; ЗИСТИВНОЙ МАСКИ ДДШ ПЛАЗМЕННОГО TPABЛEHИЯ включающий операции канесени .ч фоторезиста н-; подложку, сушку, экспонирование, проявление изображеки .я, отличают i; йен тем, что, с целью сокращения технологического цикла изготовления фоторезистивной маски из фоторезиста с крутым профилем боковых стенок, после проявления изсбражения проводя, в течение 055-5...

1099776

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем

Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10...

1651697

Метод защиты поверхности кристаллов p-n-переходов на основе легкоплавкого стекла

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. Сущность изобретения: в способе защиты поверхности кристаллов р-n-пер...

2370852

Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 содержит полупроводниковую подложку А3В5, расположенный на ее рабочей поверхности диэлектрический слой, являющийся анодным окислом, полученный анодированием подложки в...

2420828

Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к способу изготовления фоточувствительных материалов и устройств. Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки включает формирование на поверхности диэлектрической подложки слоя резистивной пасты, состоящей из оксида серебра Ag2O, палладия, мелкодисперсных частиц стекла и органической связки. Сформированный сло...

2558599

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния

Изобретение относится к новой водной полирующей композиции для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния, а также необязательно содержащих пленки нитрида кремния. Указанная водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, (В) от 0,001 до 5,0 мас.% по меньшей мере одного растворимого в воде полимера, (С)...

2573672

Способ изготовления мдп-структур на основе inas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на подложке в вакуумной камере проводят формирование диэлектрического слоя посредством анодного окисления подло...

2611690

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полн...

2613487

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя. Модификацию состава остаточного оксидного слоя на поверхности подложк...

2642879

Пленка двуокиси кремния на кремнии и способ ее получения

Использование: для функциональных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что пленка двуокиси кремния на кремнии представляет собой двухслойную структуру, состоящую последовательно из слоя пористой двуокиси кремния и слоя монолитной двуокиси кремния, расположенную на кремниевой подложке, при этом слои имеют единый химический состав, соответствующий стехиометрии SiO2, различную геометрию...

2660622

H01L21/3105 - последующая обработка

Патенты в этой категории