Способ получения линейных изображений
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Нсес -1. г рнаЯ
О fl ф."А..Ы-,Й Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ (ii) 44УИО
Союз Советских.Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 27.06.72 (21) 1801839/26 25 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 15.12.74, Бюллетень ¹ 46
Дата опубликования описания 07.04.75 (51) М. Кл. Н 011 7/64
Государственный комитет ,Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения Э. Я. Никифоров, И. М. Глазков, А. И. Хворостина и H. А. Михневич (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛИНЕЙНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению фотошаблопов для интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.
Известен способ получения линейных изображений с использованием контактной фотопечати, включающий операции наложения на подложку с предварительно нанесенным слоем маскирующей пленки и слоем фоторезиста прозрачной подложки, на поверхности которой сформирована топология микроизображений, создания плотного контакта, экспонирования через прозрачную подложку с топологией микроизображений. Затем экспонировапную подложку со светочувствительным слоем проявляют и травят.
Однако ири этом способе из-за влияния дифракции на краю изображения, рассеяния и многократного отражения в слое фоторезиста не удается получить качественные изображения менее 1 — 2 мкм.
С целью получения линейных изображений субмикронного размера по предлагаемому способу по окончании операции нанесения фоторезиста формируют один край линейного изооражепия, после чего на протравленную поверхность наносят негативный фоторезист, на который накладывают подложку поверхностью, имеющей слой с наружным отра кением, и формируют второй край линейного изображения: формирование второго края линейного изображения производят экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.
По предлагаемому способу приведена технологическая схема последовательного получения линейных изображений.
На прозрачной подложке 1 с предваритель10 но нанесенным тонким слоем маскирующей пленки 2 способом фотолитографии формируется один край 3 линейного изображения, после чего на ту же поверхность подложки 1 наносят слой негативного фоторезиста 4, а
ls затем накладывают подложку 5 с отражательным слоем 6, обращенным в сторону фоторезиста. Экспонирование производят через подложку 1. За счет дифракции иа линейном краю 3 маскирующей пленки 2, рассея20 ния света в пленке фоторезиста 4, многократного отражения света между отраженной поверхностью 6 подложки 5 п маскирующей пленкой 2 подложки 1 фоторезист 4 поглощает энергию облучения в зоне, закрытой
2s маскирующей пленкой 2 от прямого облучения световой энергией.
В процессе проявления удаляется слой фоторезиста, на который не возд"йствуст энергия, и часть маскирующей пленки 2 оказы3Q вается защищенной слоем фоторезиста. Та447110
Предмет изобретения
Ф, Составитель Н. Островская
Техред T. Курилко
Корректоры E. Давыдкина и О. Тюрина
Редактор Т. Морозова
Заказ 1050/6 Изд. № 1944 Тираж 760 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 ким образом создается второй край линейного изображения, 1. Способ получения линейных изобра>кений, включающий операции нанесения маскирующей пленки и фоторезиста, формирования изображения, проявления и травления, о тл ич а ю шийся тем, что, с целью получения линейных изображений субмикронного размера, по окончании операции нанесения фоторезиста формируют о;ин край линейного изображения, после чего на проявленную поверхность наносят негативный фоторезист, на который накладывают подложку поверх5 постыл, имеющей слой с наружным отражением, и формируют второй край лийвйного изображения.
2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что формирование второго края линейногс
10 изображения производят экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.