Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем

Реферат

Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10000°C, формирование межуровневого диэлектрика и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и выхода годных МДП-интегральных микросхем путем повышения стабильности порогового напряжения, уменьшения токов утечки p-n-переходов, после осаждения слоя легированного фосфором кремния проводят продувку реактора инертным газом в течение 5-15 мин и окисление слоя кремния в сухом кислороде при давлении 35-180 Па в течение 10-30 мин при температуре слоя кремния.