Корешков Г.А.

 Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путе...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления ИС на основе кремния. Цель - повышение выхода годных за счет предотвращения инверсии проводимости областей p-типа приборных элементов и деградации их параметров. Для этого на поверхности кремниевой структуры с приборными элементами формируют изолирующую пленку оксида кремния и на ней пленку фосфоросиликатного...

 Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10...

 Использование: технология электронной техники, для изготовления межуровневого диэлектрика и пассивирующих покрытий. Сущность изобретения: полупроводниковые подложки со структурами интегральных схем размещают в реакторе, откачивают реактор, вводят в реактор смесь моносилан, закись азота, фосфин, инертный газ и аммиак, осаждают пленку фосфорсиликатного стекла в плазме ВЧ и СВЧ разряда при т...

 Использование: изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении интегральных микросхем. Сущность: в плазмообразующую смесь для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении СБИС, включающую гексафторид серы и азот, дополнительно вводят кислород и при след...