Смаль И.В.

 Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя...

 Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10...

 Использование: электронная техника и при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП транзистор включает выполненный на поверхности полупроводниковой подложки затвор с вертикальными стенками и пристеночными диэлектрическими областями, сформированные в полупроводниковой подложке по обе стороны от затвора исток-стоковые области, образованные слоями с примесной проводимостью одного и то...

 Использование: микроэлектроника, изготовление МДП-интегральных схем высокой степени интеграции. Сущность изобретения: повышение выхода годных и быстродействия МДП-транзистора за счет уменьшения емкости достигается тем, что на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости формируют затвор с вертикальными стенками, на поверхность со ступенчатым рельефом наносят...

 Использование: микроэлектроника, изготовление полупроводниковых схем памяти на МДП-транзисторах. Цель - повышение качества конденсатора за счет увеличения эффективной площади поверхности обкладки без увеличения ее размеров в плане. Сущность изобретения: при изготовлении обкладки накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем на поверхность полупроводниковой пластины со сфор...

 Использование: способ изготовления МДП-транзистора, применяемый в электронной технике и используемый при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП-транзистор создают путем формирования на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости затвора с вертикальными стенками, внедрения ионной имплантацией в пластину по обе стороны от затвора медленно диффундиру...

  Использование: в электронной технике, в частности в процессах изготовления полупроводниковых схем памяти на МДП-транзистоврах. Сущность изобретения: накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем включает первую обкладку из слоя проводящего материала, сформированного на поверхности созданного в полупроводниковой пластине углубления, на поверхности которого созданы выступы, к...