Красницкий В.Я.

 Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя,...

 Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя...

 Способ планаризации кремниевых структур, включающий нанесение на их поверхность пленки борофосфоросиликатного стекла и последующую термообработку при 800-950°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения планарности структур и снижения дефектности пленки борофосфоросиликатного стекла, термообработку проводят в парогазовой смеси водорода и алканола R-OH, где R - CH3 -(CnH2n), n = 0, 1,...

 Способ обработки диэлектрических пленок борофосфоросиликатного стекла, включающий обработку диэлектрических пленок в смеси, содержащей тетраэтоксисилан, сушку и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их сплошности и гидрофобности, обработку диэлектрических пленок проводят в смеси, дополнительно содержащей оксид бора и одноатомный алкано...

 Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пл...

 Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой и...

 Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с...

 Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью ул...

 Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с ц...

 Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10...

 Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 350-450°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реакционную зону реактора смеси моносилана с фосфином и кислорода и наращивание пленки фосфоросиликатного стекла при давлении 26,6-46,6 Па и соотношениях ингредиентов фосфинмоносилан...

 Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение пр...

 1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качест...

 Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий предварительное удаление естественного окисла с поверхности кремниевых подложек путем обработки в водном растворе фтористоводородной кислоты, нанесение на поверхность подложек диэлектрического слоя и формирование в нем контактных окон, размещение кремниевых подложек в реакторе, вакуумирование реактора, продувку реактора водо...

 Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью сниже...

 Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся...

 Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан пр...

 Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбор...

 1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качеств...

 Использование: технология электронной техники, для изготовления межуровневого диэлектрика и пассивирующих покрытий. Сущность изобретения: полупроводниковые подложки со структурами интегральных схем размещают в реакторе, откачивают реактор, вводят в реактор смесь моносилан, закись азота, фосфин, инертный газ и аммиак, осаждают пленку фосфорсиликатного стекла в плазме ВЧ и СВЧ разряда при т...

 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении микросхем в негерметичном корпусе (пластмассовом) или бескорпусных микросхем. Рисунок межэлементных соединений интегральных схем выполнен на поверхности полупроводниковой пластины со сформированными в ней активными и пассивными элементами, закрыт пассивирующим покрытием из фосфоросиликатного стекла...

 Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: при вскрытии окон к контактным площадкам и областям для разделения пластин размеры окон выбирают такими, чтобы верхний пассивирующий слой нитрида кремния перекрывал нижний пассивирующий слой фосфоросиликатного стекла на 0,2 - 5 мкм. 1 з.п. ф-лы. 1 ил., 2 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изго...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Использование изобретения повышает качество межэлементных соединений за счет уменьшения величины нарушенного слоя подложки. Материал контактно - барьерного подслоя для межэлементных соединений интегральных схем включает кремний и алюминий при следующем соотношении ингр...

 Использование: электронная техника и при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП транзистор включает выполненный на поверхности полупроводниковой подложки затвор с вертикальными стенками и пристеночными диэлектрическими областями, сформированные в полупроводниковой подложке по обе стороны от затвора исток-стоковые области, образованные слоями с примесной проводимостью одного и то...

 Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий, в частности к устройствам для химического осаждения пленок из газовой фазы при пониженном давлении, и может быть использовано для создания слоев нитрида кремния, используемых в качестве конденсаторного и подзатворного диэлектрика для СБИС и УБИС. Сущность изобретения заключается в том, что кассету 2 с кремниевыми подложками 3 за...