Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем

Реферат

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят ионами тугоплавких или редкоземельных металлов с энергией 30-150 кэВ и дозой от 3·10¹⁴ до 1·10 ¹⁶ см^-2.