Казачонок Г.М.

 Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой и...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве ППП и ИС для присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю преимущественно путем пайки на эвтектику AlGe, Al-Ge-Au. Целью изобретения - повышение выхода годных. На посадочную поверхность кристаллов наносят слой алюминия и слой Al-Ge, на который в свою очередь наносят тонкий слой алюминия (30 - 150...

 Использование: технология микроэлектроники, в частности получение тонких металлических пленок. Сущность изобретения: в способе формирования планаризованных тонких пленок модулируют частотой не более 4 МГц по амплитуде величину ВЧ-смещения на подложке в процессе осаждения тонкой металлической пленки распылением в разряженной среде инертного газа. 1 ил. Изобретение относится к технологии ми...