Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем

Реферат

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с инертным газом при соотношении ингредиентов 1/50-1/3 при 400-550°C и давлении 35-266 Па в течение 30-120 мин.