Сасновский В.А.

 Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающи...

 Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся...

 Использование: изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении интегральных микросхем. Сущность: в плазмообразующую смесь для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении СБИС, включающую гексафторид серы и азот, дополнительно вводят кислород и при след...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления БИС и СБИС. Сущность изобретения: при формировании полупроводниковых структур со ступенчатым профилем островков поликристаллического кремния травление фоторезистивной маски проводят селективно по отношению к слою поликристаллического кремния, а конфигурацию маски изменяют путем образования уступа относительно края островка поликрист...

 Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевой подложке формируют боковую изоляцию биполярных транзисторов путем селективного окисления эпитаксиального слоя. После создания тонкого слоя диэлектрика на поверхности изолированных областей формируют область поликремниевого резистора требуемой конфигурации, пассивирующий сл...

 Использование: технология селективного осаждения вольфрама, производство сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: парогазовая смесь для осаждения вольфрама, включающая гексафторид вольфрама, дополнительно содержит гексафторид молибдена при следующем соотношении ингредиентов. об. %: гексафторид молибдена 0,5 - 20; гексафторид вольфрама - остальное. 1 табл. Изобретение относитс...