Сарычев О.Э.

 Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающи...

 Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно - к технологии осаждения пленок кремния из газовой фазы, и может быть использовано при создании обкладок накопительных конденсаторов и формировании рельефного рисунка в технологических слоях. Изобретение позволяет снизить трудоемкость и увеличить площадь поверхности пленки путем изменения условий зародышеобразования. Это достигае...

 Использование: технология селективного осаждения вольфрама, производство сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: парогазовая смесь для осаждения вольфрама, включающая гексафторид вольфрама, дополнительно содержит гексафторид молибдена при следующем соотношении ингредиентов. об. %: гексафторид молибдена 0,5 - 20; гексафторид вольфрама - остальное. 1 табл. Изобретение относитс...

 Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся...