PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ВИЛЛЕР Йозеф (DE)

Изобретатель ВИЛЛЕР Йозеф (DE) является автором следующих патентов:

Способ емкостной съемки изображения

Способ емкостной съемки изображения

 Изобретение относится к способам распознавания образов. Его применение в дактилоскопических исследованиях посредством емкостных датчиков, упорядоченных в растр, позволяет получить технический результат в виде упрощенного снятия отпечатков пальцев. Этот результат достигается благодаря тому, что считываемое изображение помещается над измерительными проводниками, между которыми используют эк...

2192665

Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем

Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем

 Использование: в емкостных измерительных датчиках отпечатков пальцев. Компонент с пассивирующим слоем состоит по меньшей мере из двух пассивирующих двойных слоев, из которых самый верхний слой равномерной толщины нанесен на выровненную верхнюю плоскость расположенного под ним слоя. Пассивирующие двойные слои состоят из двух слоев различных диэлектрических материалов, например оксида кремн...

2195048

Способ определения очень малых емкостей и его применение

Способ определения очень малых емкостей и его применение

 Использование: в поверхностных датчиках для емкостных измерений, в частности в датчиках отпечатков пальцев. Технический результат заключается в возможности совместно оценивать все проводники считывания при применении этого способа в датчике отпечатков пальцев. Растр конденсаторных пластинок подсоединяется к проводникам считывания и возбуждения. Проводники считывания (LL) попеременно подкл...

2216027

Устройство памяти и способ изготовления

Устройство памяти и способ изготовления

Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ. Сущность изобретения: устройство памяти выполнено из запоминающих ячеек с запоминающим транзистором, в котором на верхней стороне полупроводниковой подложки между областями истока и стока расположен электрод затвора, отделенный от полупроводникового материала диэлектриком, имеющим запоминающий слой меж...

2247441