Тишкевич Г.И.

 Полевой транзистор с изолированным затвором, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы области стока и истока второго типа проводимости, затвор, подзатворный диэлектрик, к которому сформированы два контакта, расположенные по обе стороны от затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и повышения стаб...

 Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого...

 Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью...