Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором

Реферат

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8) МВ·см^-1 и отрицательном напряжении на стоке с напряженностью поля 0,2-1,1 МВ·см^-1.