Моп-транзистор с высоким быстродействием и с высокой производительностью и способ его изготовления
Использование в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: МОП-транзистор содержит полупроводниковую подложку, допированную примесью первого типа проводимости, изолирующий слой затвора, сформированный на полупроводниковой подложке, электроды затвора, сформированные на изолирующем слое затвора, и слой диэлектрика, сформированный путем поверхностного окисления эл...