Полупроводниковый ключ

Полупроводниковый ключ

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

575976 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (5l )М. Кл. ф

Н 01 (. 29/76 (22) Заявлено 26.02.76 (21) 2325733/25 с присоединением заявки .%—

Государственный комитет (23) Приоритет ло делам изобретений н открытнй

Опубликовано 07.10.80 Бюллетень ¹ 37

Дата опубликования описания 17. 10.80 (53) УДК 621. . 382(088.8) (72) Авторы изобретения

И. Блинсон, Г. В. Степанов, В. И. Покалякин и Б. A. Малахов

Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛ ЮЧ

Изобретение относится к технике преобразования электрических сигналов и может найти применение в импульсной технике.

Известен полупроводниковый переклю5 чатель, состоящий из полупроводника с р -т -переходом, диэлектрика и нанесенного на него металлического электрода, расположенных перпендикулярно р- т т-переходу инжектируюшего контакта, нане1

10 сенного на полупроводник р (тт)-типа, и металлического электрода, размещенного на полупроводнике ь(р)-типа.

Однако сложно его изготовление методами планарной эпитаксиальной техно15 логии, широко применяемой в настоящее время при изготовлении интегральных схем.

Наиболее близким техническим решением к изготовлению является бистабильный переключающий диод, содержащий полупроводник с - р-переходом, диэлектрик, расположенный: параллельно т - р2 переходу и граничащий с невырожденной областью полупроводника, и два электрода.

Однако в этом приборе невозможно преобразование внешних электрических сигналов.

Uenb изобретения — преобразование электрических сигналов.

Для этого на невырожденную область полупроводника нанесен инжектируюший контакт на расстоянии, не превышающем диффузионную длину носителей заряда в полупроводнике, от электрода, расположенного на диэлектрике.

На чертеже изображен предлагаемый полупроводниковый ключ.

Он состоит из металлического электрода 1, диэлектрика 2, инжектирующего контакта 3, полупроводника с р— -переходом 4 и металлического электрода (омического контакта} 5.

При приложении постоянного напряжения к МДП структуре, открывающего р -е1 — переход, происходит распространение области пространственного заряда

575976

Составитель О, Федюкина

Редактор Т. Колоддева Техред М. Петко

Корректор М. Пожо

Заказ 8644/71 Тираж 844

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рау аская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 вглубь полупроводника. Это достигается созданием конечной утечки через диэлектрик неосновных носителей выбором параметров диэлектрика, например толщины. При подаче управляющего электрического сигнала определенной амплитуды на инжектирующий электрод ток инжектированных носител и превышает максимальный ток утечки неосновных носителей через> диэлектрик. В результате этого нарушается условие непрерывности тока, что приводит к перераспределению напряжения между полупроводником и диэлектриком и вызывает лавинообразное увеличение тока основных носителей через диэлектрик.

Предлагаемое устройство аналогичным образом может преобразовывать любое внешнее (оптическое, корпускулярное, механическое), воздействие на описанную структуру. ф

Благодаря параллельному расположению диэлектрика и Е- р-перехода в полупроводнике предлагаемое устройство выполнимо по широко используемой планарной эпитаксиальной технологии.

Формула изобретения

Полупроводниковый ключ, содержащий полупроводниковую структуру с р -Ia-переходом, диэлектрик, расположенный параллельно р- р-переходу на невырожденной области полупроводника, и электроды, отличающийся тем, что, с пелью преобразования электрических сигналов, на невырожденную область полупроводника нанесен инжектирующий контакт на расстоянии, не превышающем диффузионную длину носителей заряда в полупроводнике, от электрода, расположенного на диэлектрике.