PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СТЕПАНОВ Г.В.

Изобретатель СТЕПАНОВ Г.В. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый ключ

Полупроводниковый ключ

  Союз Советскик Социалистическик Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 575976 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (5l )М. Кл. ф Н 01 (. 29/76 (22) Заявлено 26.02.76 (21) 2325733/25 с присоединением заявки .%— Государственный комитет (23) Приоритет ло делам изобретений н открытнй Опубликовано 07.10.80 Бюллетень ¹ 37 Дата опубликования описания 17. 10.80...

575976

Полупровдниковое устройство

Полупровдниковое устройство

  АНИЕ ЕТЕНИЯ Сви ЕТЕЛЬСТВУ 670023 авт. сеид-ву7 (2() 2509141/18-25 (51)М. Кл. Н 01 L 29/14 8p.(Бюллетень № 37 (53) УДК 621.382. (088.8) я описания 23. 10. 80 (72) Авторы изобретения М. И. Елинсон, М. P. Мадьяров, В. И. Покалякнн, Г. В. Степанов, С. A. Терешин и В. Г. Тестов Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР (71) Заявитель (54) ПОЛУ...

670023

Полупровлдниковый преобразователь давления

Полупровлдниковый преобразователь давления

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Респуб пик (61) Дополнительное к ввт. свид-ву (22) Заявлено 180978 (21) 2664916/18-25 (51)М. Кп. с присоединением заявки № (23) Приоритет Н 01 1 29/84 Н 01 Ь. 29/48 Государствеииый комитет СССР оо делам изобретеиий и открыти Й (публикорано 07.1080, Бюллетень ¹ 37 Дата опубликовамия описания 07....

713444

Полупроводниковое запоминающее устройство

Полупроводниковое запоминающее устройство

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 3(я) Н 01 Ь 29 14 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2848351/18-25 (22) 14.12.79 (23) 30.11.79 ,(46) 15.06.84. Вюл. М 22 (72) М.И.Елинсон, М.Р.Мадьяров, В.И.Покалякин, Б.A.Ìàëàõîâ, Г.В.Степанов, С.A.Òåðåøèí и В.Г.Тестов (71) Ордена Трудового Красного Зна...

789018

Элемент памяти с однократным программированием

Элемент памяти с однократным программированием

  I. gjffiMEHt ПАШТИ С ОДНОКРАТНЬМ ПРОГРАМЩРОВ ШИЕМ, содержащий попупроводникову подложку, завдтшлй диэлектрический слой, первую управляющую шину, контактирукящо с диэлектрическим слоем, и вторую управля1ощую вшну, внедренную Si fi muna Si р-типв в полупроводниковую подложку и образующую с ней выпрямляющее контакт, отличающийся тем, что, с целью обеспечения саморазвязки, увеличения...

986198