Полупровдниковое устройство

Полупровдниковое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

АНИЕ

ЕТЕНИЯ

Сви ЕТЕЛЬСТВУ

670023 авт. сеид-ву7 (2() 2509141/18-25 (51)М. Кл.

Н 01 L 29/14

8p.(Бюллетень № 37 (53) УДК 621.382. (088.8) я описания 23. 10. 80 (72) Авторы изобретения

М. И. Елинсон, М. P. Мадьяров, В. И. Покалякнн, Г. В. Степанов, С. A. Терешин и В. Г. Тестов

Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к .вычислительной технике и автоматике и может быть использовано при создании запоминающих устройств .

Известны устройства на основе гетероперехода, состоящего нз низкоомного слоя, например Si -р-типа и высокоомного слоя, например Zn Te t1) .

При подаче положительного токового импульса амплитудой, более чем пороговый S происходит переход из низкоомного в высокоомное состояние. Обратное переключение из высокоомного состояния в низкоомное осуществляется подачей отрицательного импульса напряжения с порогом Vn, При использовании инжектирукщего контакта реализуется биполярная схема.

Недостатками таких переключателей являются технологическая трудность изготовления тонких слоев бинарных соединений, невоспроизводимость параметров переключения, связанная, по— видимому, с невоспроизводимостью свойств пленок. Такие материалы не используются для изготовления как пассивных, так и активных элементов интегральных схем.

Известны полупровбдниковые устройства на основе гетероперехода монокристаллический кремний — пленка двуокиси олова P) .

У такого прибора отсутствуют два устойчивых состояния — ниэкоомное

5 и высокоомное, бистабильность переключения, запоминание при отключенном питающем напряжении.

Цель изобретения — обеспечение биполярности переключения, заноми10 нания и сохранения памяти при отключенном питающем напряжении.

Это достигается тем, что пленка

S имеет дефекты с концентрацией не менее 5 ° 10 см создающими глубокие

15 энергетические уровни в запрещенной зоне.

Эти уровни создаются либо диффуэией соответствующих атомов примеси (например, Au, Zn и т.д .), либо за счет дефектов кристаллической решетки Snp (получение Sn0< методом ионоплазменного распыления олова в атмосфере кислорода) .

В исходном состоянии элемент об25 ладает высоким сопротивлением-10 0м.

При приложении напряжения (на двуокиси олова), превышающего пороговую величину (3-5 в), элемент переключается в состояние с малым сопротив30 лением «1 0 Ом. Это состояние запо1 б 703) 23

Составитель Г. Корнилова

Редактор Т. Колодцева Техред H.Бабурка Корректор Е. Папп

Заказ 8666 72 Тираж 844 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 минается и сохраняется при отключении, питания. При смене полярности напряжения и после достижения порогового тока (<1MA) элемент переключается вновь в высокоомное состояние 10 0м, которое сохраняется при отключении питания. Для неразрушающего считывания информации можно использовать импульсы тока или напряжения, амплитуды которых не превосходят пороговых величин. Время хранения информации при отключенном питании превосходит 3 16 месяца. Число обратных переключений элемента превосходит 10 .

Укаэанный SnO< бистабильный запоминающийся элемент легко изготавливают в интегральном виде .ло сущест- 3Я вуищей кремниевой планарной технологии.

Использование пленки двуокиси олова позволяет по одной технологии в едином цикле создавать в интегральном щ исполнении как бистабильные запоминающиеся устройства, так и резисторы, Мотки-диоды, конденсаторы на использовании емкости области пространственного заряда шотки-диода и полевые траиэис торы с Нотки-з ат вором.

Формула из обр ете ни я

Полупроводниковое устройство на основе гетероперехода монокристаллический кремний-пленка двуокиси олова, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения биполярности переключения, запоминания и сохранения папяти при отключенном питающем напряжении, пленка имеет дефекты с концентрацией не менее 5 ° 10"з см, создающими глубокие энергетические уровнй в запрещенной зоне .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.йеиЬагу D.Ì. and others "Electrical

8eha,viour of p GenZnSe hetегоjunctious"Electr. Lett",1972, 8, t4 1, р. 104-105.

2. крячко В. В. и др. исследование электрофизических свойств гетеропереходов Sl-Sn0>, "Физика полупроводников и микроэлектроника". Воронеж, Изд-во Воронежского университета, 1972, с. 25.