Сухих С.А.

 Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где...

 Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть...

 Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и пров...