Кислякова О.В.
Изобретатель Кислякова О.В. является автором следующих патентов:
![Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
(19)SU(11)1228722(13)A3(51) МПК 5 H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патентуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобр...
1228722![Способ подстройки частоты кварцевых резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ подстройки частоты кварцевых резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ подстройки частоты кварцевых резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к области радиоэлектроники. Целью изобретения является расширение пределов подстройки частоты и повышение ее точности. Подстройку частоты кварцевого резонатора на поверхностных акустических волнах осуществляют после измерения его частоты и сравнения ее с заданной путем его нагрева в течение 20 - 40 мин. Температуру нагрева выбирают из выражения f/fo, где Т - температ...
1313314![Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты. В процессе формирования системы канавок отражательных решеток резонатора на поверхностных акустических волнах их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего материала из ка...
1335110![Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение точности настройки. Предварительную настройку частоты производят путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450°С, а обработку в плазме аргона проводят в течение соответствующего времени. Проводится соотношение врем...
1750406![Способ подстройки центральной частоты приборов на поверхностных акустических волнах Способ подстройки центральной частоты приборов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ подстройки центральной частоты приборов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления приборов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение процента выхода годных приборов за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора. В способе подстройки центральной частоты приборов на поверхностных акустических волнах, включающем измерение центральной частоты п...
1750407![Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов за счет повышения адгезии фоторезиста к поверхности подложки. При обработке поверхности пьезоэлектрической подложки проводят ионно-химическое травление на глубину 80 - 120 нм, при этом использу...
1762727![Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение выхода годных резонаторов. Для этого в способе изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах после напыления металла наносят второй слой фоторезистора, в котором вскрывают окна над структурами...
1783948