Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах

Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах

Реферат

 

Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты. В процессе формирования системы канавок отражательных решеток резонатора на поверхностных акустических волнах их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего материала из канавок проводят селективно ионнохимическое травление рабочей грани пьезоэлектрической подложки в области системы канавок отражательных решеток. Селективное ионно-химическое травление проводят в течение времени T, определяемого соотношением T = A(f_ном-f_ц)/Vf_ном,c , где А - скорость травления материала пьезоэлектрической подложки, м/с; A-(6-7)10⁴ - коэффициент пропорциональности, м; f_ном - номинальное значение центральной частоты, Гц; f_ц - экспериментально определенное значение центральной частоты контрольного образца, Гц.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при изготовлении резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобретения является увеличение выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты. Способ изготовления резонаторов на ПАВ включает формирование на рабочей грани пьезоэлектрической подложки системы канавок отражательных решеток, заполненных электропроводящим материалом, и электродов встречно-штыревых преобразователей, а также формирование защитного покрытия, вытравливание электропроводящего материала из системы канавок отражательных решеток и удаление защитного покрытия. Причем в процессе формирования системы канавок отражательных решеток их дополнительно вытравливают на величину 10-15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего материала проводят селективное ионно-химическое травление рабочей грани пьезоэлектрической подложки в течение времени Т, определяемого соотношением T = , c, где V - скорость травления материала пьезоэлектрической подложки, м/с; A=(6-7)10⁴ - коэффициент пропорциональности, м; f_ном. - номинальное значение центральной частоты резонатора, Гц; f _ц - экспериментально определенное среднее значение центральной частоты резонатора, изготовленного без операции селективного ионно-химического травления материала пьезоэлектрической подложки, на контрольных пластинах из той же партии, что и рабочие пластины, Гц. В качестве примера реализации предлагаемого способа были изготовлены резонаторы на ПАВ на пьезоэлектрической подложке из кварца ST-среза. Канавки отражательных решеток с заданной глубиной 90-95 нм дополнительно вытравливались на 10 нм. При этом на контрольных пластинах измеренное значение средней частоты было на 50-250 кГц ниже номинальной. Это значение увеличивалось путем селективного ионно-химического травления рабочей грани пьезоэлектрической подложки в течение времени, рассчитанного по приведенной формуле. В результате этого наблюдалось увеличение годных почти в 2 раза. Положительный эффект достигается за счет уменьшения разброса центральной частоты резонатора.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), включающий формирование на рабочей грани пьезоэлектрической подложки системы канавок отражательных решеток, заполненных электропроводящим материалом, и электродов встречно-штыревых преобразователей, формирование защитного покрытия для встречно-штыревых преобразователей, вытравливание электропроводящего материала из системы канавок отражательных решеток, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты, в процессе формирования системы канавок отражательных решеток их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего материала проводят селективное ионно-химическое травление рабочей грани пьезоэлектрической подложки в течение времени T, определяемого соотношением T = , c, где V - скорость травления материала пьезоэлектрической подложки, м/с; A - (6 - 7) 10⁴ - коэффициент пропорциональности, м; F_ном - номинальное значение центральной частоты, Гц; F_ц - экспериментально определенное значение центральной частоты резонатора на ПАВ, изготовленного без операции селективного ионно-химического травления рабочей грани пьезоэлектрической подложки на контрольных пластинах из той же партии, что и рабочие пластины, Гц.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 23-2001

Извещение опубликовано: 20.08.2001