Федорец В.Н.

 (19)SU(11)1228722(13)A3(51)  МПК 5    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патентуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобр...

 Изобретение относится к области радиоэлектроники. Целью изобретения является расширение пределов подстройки частоты и повышение ее точности. Подстройку частоты кварцевого резонатора на поверхностных акустических волнах осуществляют после измерения его частоты и сравнения ее с заданной путем его нагрева в течение 20 - 40 мин. Температуру нагрева выбирают из выражения f/fo, где Т - температ...

 Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в резонаторах на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобретения является повышение технологичности конструкции резонатора. Резонатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, один или несколько встречно-штыревых преобразователей (ВШП) 2 ПАВ с электродами 3, расположенными в углублениях пьезоэлектрической подл...

  Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты. В процессе формирования системы канавок отражательных решеток резонатора на поверхностных акустических волнах их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего материала из ка...

 Изобретение может быть использовано на литографических операциях при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение точностных параметров маски за счет устранения отражения экспонирующего излучения от обратной стороны подложки (П). На обратную шлифованную поверхность (П) LiNBO3 наносится, например, вакуумным термическим напылением слой Cu. Толщина...

  Изобретение относится к радиоэлектронике. Цель изобретения - повышение качества изготавливаемых устройств. Способ изготовления устройств на поверхностных акустических волнах, включает формирование на пьезоэлектрической подложке токопроводящего слоя электродов и электрических шин встречно-штыревых преобразователей (ВШП), одновременное формирование между электрическими шинами ВШП токопрово...

 Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - увеличение процента выхода годных за счет получения в слое фоторезиста при "обратной" фотолитографии профиля с отрицательным углом наклона. На подложку наносят слой позитивного фоторезиста. Проводят его селективное экспонирование через фотошаблон. В проявитель добавляют 1 - 5 об. % растворителя фоторезиста, например ацетона или...

 Изобретение относится к измерительной технике для калибровки увеличения и системы позиционирования оптических и электронных микроскопов. Целью изобратения является удешевление поверки за счет использования радиотехнических методов. Калибровка меры 1, представляющей собой систему параллельных полос 2 с постоянным периодом, осуществляется путем облучения ее поверхностной акустической волной...

 Изобретение относится к радиоэлектронике. Целью изобретения является повышение достоверности способа аттестации мер периодических типа растровой решетки. Способ аттестации мер периодических типа растровой решетки в маскирующем слое на прозрачной аморфной подложке включает формирование методом контактной литографии на монокристаллической пьезоэлектрической подложке решетки - копии в виде к...

 Изобретение относится к измерительной технике, к мерам для калибровки увеличения и систем позиционирования оптических и электронных микроскопов. Цель изобретения - повышение точности аттестации и проверки микроскопов путем точного определения периода металлических полос меры. Мера состоит из подложки, на которой сформирована система параллельных металлических полос с контактными площадкам...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение точности настройки. Предварительную настройку частоты производят путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450°С, а обработку в плазме аргона проводят в течение соответствующего времени. Проводится соотношение врем...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления приборов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение процента выхода годных приборов за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора. В способе подстройки центральной частоты приборов на поверхностных акустических волнах, включающем измерение центральной частоты п...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов. Обработку рабочей поверхности кристалла резонаторов пучком ионов аргона ведут при энергии 4 - 5 кэВ в течение 2 - 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 - 8 мин. 1 табл. Из...

  Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов за счет повышения адгезии фоторезиста к поверхности подложки. При обработке поверхности пьезоэлектрической подложки проводят ионно-химическое травление на глубину 80 - 120 нм, при этом использу...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - увеличение процента выхода годных резонаторов. В предложенном способе настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах перед измерением центральной частоты дополнительно проводят обработку резонатора в плазм...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение выхода годных резонаторов. Для этого в способе изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах после напыления металла наносят второй слой фоторезистора, в котором вскрывают окна над структурами...