Способ получения контактной маски на прозрачной подложке

Способ получения контактной маски на прозрачной подложке

Реферат

 

Изобретение может быть использовано на литографических операциях при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение точностных параметров маски за счет устранения отражения экспонирующего излучения от обратной стороны подложки (П). На обратную шлифованную поверхность (П) LiNBO₃ наносится, например, вакуумным термическим напылением слой Cu. Толщина последнего не меньше 1/4 длины волны экспонирующего излучения. На рабочую П наносили слой фоторезиста толщиной 0,5 - 0,8 мкм. П с фоторезистор экспонировали в течение 30 - 40 с через фотошаблон и проявляли в слабощелочном растворе, например КОН. Нанесение Cu на обратную П позволяет исключить искажения рисунка Cu, обусловленные дифракционными эффектами.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение точностных параметров маски за счет устранения отражения экспонирующего излучения от обратной стороны подложки путем нанесения на обратную сторону поглощающего медного покрытия, что позволяет исключить искажение рисунка маски, обусловленные дифракционными эффектами. П р и м е р 1. Периодические структуры встречно-штыревых преобразователей (ВШП) поверхностных акустических волн (ПАВ) с периодом 2(1+1) мкм и длиной электродов 400 мкм (1000-2000 полос в структуре) подготавливали на пластинах LiNBO₃ толщиной 0,5-1 мм, диаметром 50,8 мм; рабочая сторона оптически полированная, нижняя поверхность шлифованная с высотой рельефа 10-20 мкм (матовая поверхность). На обратную шлифованную поверхность предварительно отмытых пластин наносили слой меди толщиной не меньше 1/4 длины волны экспонирующего излучения ( 4000 ). Первая партия - медь наносили термическим напылением в вакууме, толщину слоя определяли из объема навески и расстояния до источника, она равнялась 2500 . Вторая партия - медь наносили из магнетронного источника, толщиной слоя 1000 . Третья партия - без покрытия обратной стороны медью, но под пластину в процессе экспонирования подкладывали шлифованную медную пластину. Четвертая партия - без покрытия по известному способу (пластины укладывали на черненное основание). На рабочую поверхность на центрифуге наносили слой 0,5-0,8 мкм фоторезиста ФП-383, пластину с фоторезистом высушивали и экспонировали через фотошаблон на установке совмещения и экспонирования типа 830011 (ГДР, Карл Цейсс), время экспонирования 30-40 с. Экспонированные пластины проявляли в слабощелочных растворах (например, КОН). Качество рисунка из фоторезиста проверяли визуально при 100% -ном контроле структур на оптическом микроскопе (Metalloplan. Leitz, ФРГ). Результаты оценивали по проценту выхода годных структур, который составил для первых двух партий 40-45% против 2% для партий, обработанных по известному способу. П р и м е р 2. Структуры, такие же как и в примере 1, изготавливали на пьезокварцевых пластинах 20 х 30 мм² толщиной 0,4 мм, рабочая сторона оптически полированная, обратная поверхность шлифованная с высотой рельефа 10-20 мкм. Также использовали пластины с двухсторонней оптической полировкой (первая и вторая партии). Процесс фотолитографии такой же, как и в примере 1. Режим обработки для всех партий один и тот же. Выход годных структур составил 68-72% против 45-55% по известному способу. (56) Патент Японии N 57-46214, кл. H 01 L 21/312, 1982.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОЙ МАСКИ НА ПРОЗРАЧНОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий нанесение на ее рабочую поверхность слоя фоторезиста, формирования скрытого изображения путем экспонирования фоторезиста актиничным излучением с использованием поглощающего покрытия и проявление скрытого изображения, отличающийся тем, что, с целью улучщения точностных параметров маски, поглощающее покрытие формируют на обратной стороне подложки толщиной не менее четверти длины волны экспонирующего излучения, причем в качестве материала поглощающего покрытия используют медь.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 11-2002

Извещение опубликовано: 20.04.2002