G03F7/26 - обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели (G03F 7/12-G03F 7/24 имеют преимущество)

Способ печатания с форм с увлажняемыми пробелами

Класс 576, 2„ СССР «Хо 69018 ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСХОМУ СВИДЕТЕЛЬС ГВУ В. Г. Борисов Способ печатания с форм с увлажняемыми пробелами Заявлено 2 марта 194б года в Объединение издательства при Совете министров СССР за № 241 (343315) Опубликовано 31 августа 1947 года Известен способ фотографического получения серебряного металлического изображения путем нанесения слоя св...

69018

Способ изготовления автотипных цинковых клише без ручной корректуры

№ 82372 Предмет изобретения 1. Способ изготовления автотипных цинковых клише без ручной корректуры при минимальном травлении копии на цинке, полученной с контрастного сетчатого негатива, и закатке ее перед глубоким травлением эластичным валиком, покрытым лаковой пленкой, о т л и ч а юшийся тем, что для обеспечения закатывания краской лишь печатающих элементов клише эластичный...

82372

Способ изготовления рельефной формы

Л и 127266 Класс 15b, 1о1 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ С. А. Будагян, С. С. Кулбасов, Г. М. Сонкин и Г. E. Моторкин СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШТРИХОВОЙ РЕЛЬЕФНОЙ ФОРМЫ Заявлено 6 июля 1959 г за ¹ 632982128 в Комитет по делам изобретении и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 7 за !960 г. Известш I способы изгото...

127266

Способ изготовления офсетных печатных форм для печати документации

20I029 ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСстОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистическик Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹ Кл. 57b, 14/03 57d, 2/01 Заявлено 17.111.1966 (№ 1061711/28-12) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 15Х111.1967. Бюллетень № 17 Дата опубликования описания 20,Х.1967 МПК G 03с G 031 УДК 655.226:655.228.1 (088,8) Комитет по делам...

201029

Патент ссср 302856

О П ИЗОБРЕТЕНИЯ 302856 Саюа Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства Ке Заявлено 20.11.1970 (№ 1405979, 26-9) с присоединением заявки гче Приоритет Опубликовано 28.IV.1971. Бюллетень М 15 Дата опубликования описания 1Л П.1371 МПК Н 05k 3/00 Комитет по делам иаобретепкй и открытий при Совете Мпиистров СССР УДК 621.3.04...

302856

Способ получения рельефных микрорисунков

М е вате хи - - -.ф с@Я т. 6 6»« ""ь " О П И Е И3ОБРЕТЕ Н ИЯ К - АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. Н 05k 3! 00 Заявлено 09.1,1970 (¹ 1392075/26-9) с присоединением заявки № Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изооретений < откоытий Приоритет Опубликовано 10.Х11.1973. Бюллетень ¹ 47...

309664

Способ удаления неосвещенных участков экспонированного фотополимерного слоя

357545 ОП ИСАНИ-Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Cows Соввтокив Социвлиотичоркив рвопуЬлик Зависимое от авт, свидетельства № Заявлено 16.Ч!11970 (№ 1462495/23-4) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 31.Х.1972. Бюллетень № 33 Дата опубликования описания 2.11.1973 М. Кл. G 03с 5/24 Номитвт оо делам изобретений и открытий ори Совотв Министров СССР УДК 7...

357545

Способ изготовления фотошаблонов

г ЙАТЯИТг 0 вкбииотеыа у Вд 375822 ОП И САНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 08.11.1971 (№ 162762326-9) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 23.11!.1973. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 27.VI.1973 гЧ. Кл. Н 05k 3/28 G 03f 7/00 Комитет по делам изобретений и...

375822

Устройство для проявления фоторезиста

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 387444 Союз Соевтокив Социалистическик Реооублик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 01.IV.1971 (¹ 1640345j26-9) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 21.Ч1.1973. Бюллетень № 27 Дата опубликования описания 25.IX;1973 М. Кл. Н 01с 17/00 Комитет ло делам изобретений и открытий сои Совете Министров СССР УДК 621...

387441

Установка для изготовления фотошаблонов

О П И С А Н И Е I»I42835I ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскил -Социалистических Республик (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 07.02.72 (21) 1745191/18-10 с присоединением заявки МвЂ” (32) ПриоритетвЂ” Опубликовано 15.05.74. Бюллетень М 18 Дата опубликования описания 26Х3.75 (51) Ч. Кл. 6 03f 7/00 Государственный комитет Совета Министров...

428351

Фотошаблон и способ его изготовления

O ll H C A M H K (11)938338 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 30. 10. 78 (21) 2675175/18-25 с присоединением заявки J%вЂ” (23)Приоритет по и. 2 20.04.78 Опубликовано 23.06.82. Бюллетень М 23 Дата опубликования описания 23 .06 . 82 (5 l ) M. Кл. Н 01 L 21/26 Риударстеевый кеми...

938338

Электронорезист

Применение сйлатранов в качестве электррнорезиста при сухой электронолитографии . СОЮЗ G08ETCHHX ОСЦМЛВЪН РЕСПУБЛИК O% цд) G 03 F 7/26 (21) 3480748/18-21 (22) 05.08.82 ,(46) 02.03.84. Бал. В 9 (72) P.Ã. Мирсков, С. В. Васенко, В.И. Рахлин, В.П. Корчков, Т.Н. Мартынова, В.С. Данилович и М.Р. Воронков (71) Иркутский институт органической химии СО АН СССР -(53) 621 396.64-18...

1078399

Способ формирования изображения на подложке

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРА- j ЖЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ, включающий и змерение масштабных искажений рисунка фото-, шаблона, коррекцию искажений путем j совместного изгиба фотошаблона и подложки, прижим фотошаблона к подложке и экспонирование подложки через фотощаблон , отличающийся тем, что, с целью повьппения качества изображения за счет уменьшения плотности локальных дефектов, перед ко...

1100604

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - пр...

1112913

Способ получения негативной маски

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НЕГАТИВНОЙ МАСКИ, включающий нанесение полимеркой пленки на подложку, ее экспонирование путем облучения потоfcoM частиц, обработку полимерной пленки в среде Мономера и проявление изображения, отлячающ и и с я тем, что, с целью улуч .шения технологических характеристик процесса, обработку полимерной проводят в парах Мономерного винилсилана общей формулы (CN CN)...

1132746

Способ коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии

СПОСОБ КОРРЕКЦИИ ЭКСПОЗИЦИИ ПРИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение реэиста на подложку , экспонирование тестовой структуры , проявление резиста и определение доз экспонирования, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности и упрощения процесса, экспонирование проводят с линейнонарастающей дозой до получения тестовой структуры прямоугольной формы, после чего...

1145847

Способ формирования рельефных изображений

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ, включающий ir ff/ff f VM. селективное экспонирование полимерных реэистных пленок рентгеновскими (или электронными лучами с дальнейшим их проявлением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества получаемого рельефного изображения, проявление ос ьществляют путем облучения вакуумным ультрафиолетовым излучением. 2. Способ по п. 1, о...

1196796

Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором

СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН (51)5 С 03 F-7!26 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫВ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н AB TOPCNOMV ЕВИДИтВЪСтви (46) 15.04.91 Бюл. 9 14 (2 I ) 3724583/21 (22) 10.04.84 (72) Ю.Б.11ветков, И.Н.Рубцов, В .А.Курмачев, А.Н.Кизилов и В.П.Мартыненко (53) 621.382.002(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР В 577506, кл. С 0...

1246764

Способ изготовления свободной маски для проекционных электронно-и ионно-лучевых систем

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении шаблонов для полупроводниковы. приборов и интегральных схем высокой степени интеграции. Цель - повышение про изводительности процесса изготовления свободной маски для электроннои ионно-лучевых систем. Цель изобретения достигается тем, что формирование рисунка с...

1352445

Способ получения рисунка шаблона

Изобретение относится к. микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов. Цель изобретения - повьппение воспроизводимости размеров при формировании идентичных Элементов. Для этого идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина W каждого из. .которых может отличаться на величину погрешности t W, связан...

1353142

Способ устранения дефектов фотошаблонов

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов, Облучсчют дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания а Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70- 85%, а со стороны маскирующего слоя -...

1365036

Способ получения контактной маски на прозрачной подложке

Изобретение может быть использовано на литографических операциях при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение точностных параметров маски за счет устранения отражения экспонирующего излучения от обратной стороны подложки (П). На обратную шлифованную поверхность (П) LiNBO3 наносится, например, вакуумным термическим напылением слой Cu. Толщина...

1398641

Способ получения изображения

СОЮЗ СОЕЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕа1УБЛИН (51) 5 G 03 Р 7/26 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИИ И ОТНРЫТИЙ (46) 07„04.92. Бюл. Р 13 (21) 4048580/? 1 (22) 03,04,86 (71) Физико-технический институт им.A.Ô,Èoôôå (72) А.В.Колобов и В.М.Любин (53) 621.382.002(088.8) (56) Несеребряные фотографические процессы поп ред. A.Ï.Êàðòóæàíñêoãî. Л., Химия, 1984, с. 221-222...

1428058

Способ фотолитографии

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к формированию фоторезистивной маски для обратной фотолитографии. Цель изобретения расширение технологических возможностей. На подложку наносится слой позитивного фоторезиста. Проводится облучение фоторезиста электродами с энергией 1 5 кэВ, в результате чего фоточувствительность облученных участков снижается. Величина снижения...

1454116

Способ литографии

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении высокоразрешающих шаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа. На подложку испарением в вакууме наносят пленку халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП) системы...

1473568

G03F7/26 - обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели (G03F 7/12-G03F 7/24 имеют преимущество)

Патенты в этой категории