Способ устранения дефектов фотошаблонов

Способ устранения дефектов фотошаблонов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов, Облучсчют дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания а Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70- 85%, а со стороны маскирующего слоя - до получения оптически плотного слоя Показателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическая плотность дефектного места после осаждения , определяемая фотометрированием. 1 табл. с | (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

\ Г

СфЭ

С5

Ю

Ю

CQ В

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (.21) 4016083/24-10 (22) 04,02.86 (46) 07.01.88. Бюл. N - 1 (71) Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР (72) И.В.Маликов, Т,В.Горячева, Н.А,Кислов.и В.И.Дерновский (53) 621.382,022 (088,8) (56) Ehrlich D.I., Osgood R.М.Iã., Silversmith D,I.. Deutsch Т.F. One—

Step Repair, of Transparent Defects

in Hard - Surface. Photo1ithographic

masks via, Laser Photodepositich.—

TEEE Electron Device Letters, 1980, v, EDL-1, Р 6, р. 101-103, „„SU„„1365036 А1

151) 4 G 03 F 7/26, С 03 C 11/04 (54) СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ДЕФЕКТОВ

ФОТОШАБЛ ОНО В (57) Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов.

Облучают дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания. Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70857., а со стороны маскирующего слоя— до получения оптически плотного слоя.

Показателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическая плотность дефектного места после осаждения, определяемая фотометрировани— ем. 1 табл.

5036

1 36

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использонано для устранения прозрачных дефектов фотошаблонон в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Целью изобретения является повышение качества восстановленных фотошаблонов, Сущность предлагаемого изобретения заключается н том, что согласно способу лазерного фотохимического ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов, включающему фокусировку лазерного излучения в дефектное место фотошаблоня со стороны его маскирующего слоя н среде фоторазлагающегося газа с последуюк1Им осаждением продукТор фоторазложения до получения оптически плотного слоя, добавляются операции дополнительного фокусирования лазерного излучения на дефектное место со стороны основания фотошаблона и осаждения продуктов фоторазложения до уменьшения мощности лазерного излучения, проходящей через рас "ущий слой, на 70-857..

Проведение пр оце сса о сажде ния пр одуктон реакции фоторазложения в две стадии повышает качество ремонта фотошаблонов за счет увеличения адгезии осаждаемых слоев, При этом после проведения первого этапа осаждения со стороны основания фотопаблона до уменьшения мощности лазерного излучения меньше, чем на 70K, и второго этапа осаждения со стороны маскирующего слоя фотошаблона . > получения оптически плотного -.лоя

1О

1Г

?0

40 то одного окна поместили дефектный фоток аблон хромовым маскирующим слоем внутрь камеры, После вакуумирования камеру заполнили парами пентакарбонила железа I e(ÑÎ) до давления

100 Пя и аргоном до давления 10 Па.

Излучение импульсного азотного лазера (g 337 нм) мощностью 0,15 мВт фокусировали в дефектное место через основание фотошаблона и осаждали продукты фоторазложения до уменьшения мощности лазерного излучения на

807, Затем сфокусировали лазерное излучение н дефектное место со стороны маскирующего слоя фотошаблона и проводили осаждение до получения оптически плотного слоя..Мощность лазерного излучения контролировали с помощью измерителя мощности ИМО-2Н.

Показателем качества ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов является

ИОП дефектного места после технохимической обработки, которую определяли фотометрировянием на микроденситометре Д-100 и которая равна 987..

Продолжительность процесса 15 мин, ?I р и м е р 2, Провели ремонт прозрачных дефектов фотошаблона со стороны маскирующего слоя по известному способу при параметрах процесса, описанных н примере 1 „. Интегрялт.няя оптическая плотность дефекти. го места после технохимической обработки панна 507,. Продолжительность процесса 15 мин„Б таблице приведены характеристи- ки ремонта прозра:ных дефектов фотошаблонон и зависимости от условий проведения процесса.

50 происходят частичное скалывание и стирание осажденного слоя но время технохимической обработки, приводящие к уменьшению интегральной оптической плотности (ИОП) дефектного места, которая характеризует адгезию осаждаемого слоя и является показателем качества ремонта„- При проведении первого этапа осаждения до уменьшения мощности лазерного излучения более чем на 857 необходимо затратить времени на порядок больше без изменения качества ремонта.

Пример 1. Испытание проводили с использованием оптико-механической системы установки ЭМ-551А.

В газовую камеру высотой 4 мм иэ нержавеющей стали с двумя прозрачными для лазерного излучения окнами вмесРезультаты сравнительных испыта-. ний. представленные н таблице, пока зывяют, что улучшение качества ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов по предлагаемому способу получается за счет увеличения адгезии осаждаемого слоя и, сл довательно, увеличения интегральной оптической плотности дефектного места после технохимической обработки F> 2 раза по сравнению с известным способом.

Формул а изобретения

Способ устранения дефектов фотошаблонов, включающий облучение сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя дефектного места фотошаблона, помещенного

1365036 сфокусированным лазерным излучением дефектного места со стороны основания фотошаблона н осаждают продукт фотораэложения до тех пор, пока мощность лазерного излучения, проходящего через образующийся маскирующий слой на месте дефекта фотошаблона не уменьшится на 70-85%. в среду фоторазлагающегося газа с осаждением продуктов фоторазложения до получения оптически плотного слоя, отличающийся тем, что с целью повышения качества восстановленных фотошаблонов, перед облучением со стороны маскирующего слоя производят дополнительное облучение

Способ ремонта пр о зр ач ных дефектов фотошаблонов

Ослабление мощности лаИнтегральная оптическая плотность осаждаемого слоя после технохимической обработки (ИОП), зерного излучения в

Предлагаемый

98

Ремонт дефектного места со сто80

70

65

90

Известный

50 роны основания фотошаблона, а затем со стороны маскирующего слоя

Ремонт дефектного места со стороны маскирующего слоя фотошаблона момент перефокусировки лазерного излучения, Характеристика ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов

Осаждаемый слой имеет хорошую адгезию и после технохимической обработки не стирается

При технохимической обработке происходит частичное скалывание осаждаемого слоя

При технохимической обработке не происходит скалывания осаждаемых слоев, но ремонт затруднен из-эа больших затрат времени -3 ч

При технохимической обработке происходит значительное скалывание осаждаемого слоя