Способ получения рельефных микрорисунков

Способ получения рельефных микрорисунков

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

М е вате хи - - -.ф с@Я т.

6 6»« ""ь "

О П И Е

И3ОБРЕТЕ Н ИЯ

К - АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. Н 05k 3! 00

Заявлено 09.1,1970 (¹ 1392075/26-9) с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений

< откоытий

Приоритет

Опубликовано 10.Х11.1973. Бюллетень ¹ 47

Дата опубликования описания 22.11 .1974

УДК 621.3.049.75 (088.8) Авторы изобретения

В. П. Вейко, С. А. Грамм, М. 3. Коган.

Г. А. Котов и М. H. Либенсон

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ

РЕЛЬЕФНЫХ МИКРОРИСУНКОВ на слой фоторезиста требуемое изображение.

Длина волны излучения лежит в области прозрачности фоторезиста.

Во время экспонирования происходит селективное облучение фоторезиста, обеспечивающее его селектпвное растворение, и за счет энергии, выделяющейся по рисунку в подслое, од овременно задубливается засвеченный резпст. Затем растворителем вымывают незаэкс10 понированный фоторезист, и на поверхности материала образуется рельефный рисунок.

Mourí0ñòü луча лазера подбирают так, чтобы не повредить исходный материал. находящийся под фоторезистом.

Способ получеш1я рельефных микрорисунков, заключающийся в селективном экспони20 ровании фоторезиста излучением оптического квантового генератора, термическом задубливанип облученных участков резистивного слоя, отличающийся тем, что, с целью совмещения операций экспонирования и задублива25 нпя, под фоторезист наносят подслой из материала, оптически не прозрачного для излучения оптического квантового генератора, а длину волны излучения выбирают в области прозрачности фоторезиста.

Изобретение относится к электронной технике. Способ может в частности, найти широкое применение в технологии производства полупроводниковых и тонкопленочных интегральных схем.

Известен способ получения рельефных микрорисунков, заключа1ощийся в селективном экспонировании фоторезиста излучением оптического квантового генератора и термическом задубливании облученных участков резистивного слоя.

Для совмещения операций экспонирования и задубливания предлагается нанести под фоторезист подслой из материала, оптически не прозрачного для излучения оптического квантового генератора (ОКГ), а длину волны излучения выбирать в области прозрачности фоторезиста. Это обеспечивает селективный нагрев подслоя и косвенный селективный нагрев фоторезиста, лежащего над ним, а также практически мгновенное термическое задубливание по определенному рисунку.

Предлагаемый способ состоит в следующем.

На материал, в котором необходимо получить требуемый микрорельеф, наносят подслой, не прозрачный для луча ОКГ. Затем, покрыв подслой фоточувствительным слоем— фоторезистом, производят экспонирование через трафарет импульсом ОКГ, проецирующим

Предмет изобретения