Резонатор на поверхностных акустических волнах

Резонатор на поверхностных акустических волнах

Реферат

 

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в резонаторах на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобретения является повышение технологичности конструкции резонатора. Резонатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, один или несколько встречно-штыревых преобразователей (ВШП) 2 ПАВ с электродами 3, расположенными в углублениях пьезоэлектрической подложки 1, и отражательные структуры 4, состоящие из канавок 5. Область с электродами ВШП 2 ПАВ имеет выступ 6 над областями с отражательными структурами 4, что позволяет получить глубину канавок меньшую, чем глубина углублений под электродами ВШП. 1 ил.

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может использоваться в резонаторах на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобретения является повышение технологичности конструкции резонаторов. На рисунке представлена конструкция резонатора. Резонатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, один или несколько встречно-штыревых преобразователей (ВШП) 2 ПАВ с электродами 3, расположенными в углублениях пьезоэлектрической подложки 1, и отражательные структуры 4, состоящие из канавок 5. Область с электродами ВШП 2 ПАВ имеет выступ 6 над областями с отражательными структурами 4. Выступ 6 имеет высоту, выбираемую в соответствии с выражением h = h₁ - h₂, где h - высота области пьезоэлектрической подложки; h₁ - глубина углублений под электродами ВШП ПАВ, h₂ - глубина канавок. Значение h выбирается в зависимости h = (0,001-0,03) ; где - длина ПАВ. Наличие выступа 6 на пьезоэлектрической подложке 1 позволяет получить технологическую конструкцию резонатора на ПАВ, в котором для достижения определенных электрических параметров необходимо обеспечить глубину канавок меньшую, чем глубина углублений под электродами ВШП.

Формула изобретения

РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, по крайней мере один встречно-штыревой преобразователь (ВШП) ПАВ, электроды которого расположены в углублениях на рабочей грани пьезоэлектрической подложки, и отражательные структуры, выполненные в виде системы канавок, глубина которых меньше глубины углублений под электродами ВШП ПАВ, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции резонатора, область пьезоэлектрической подложки с электродами ВШП ПАВ выполнена с выступом над областями пьезоэлектрической подложки с канавками отражательных структур, причем высота выступа выбрана в соответствии с выражением h = h₁-h₂ , где h - высота выступа области пьезоэлектрической подложки, м; h₁ - глубина углублений под электродами ВПШ ПАВ, м; h₂ - глубина канавок отражательных структур, м, значение h выбирается из зависимости h = (0,001 0,03) , где - длина ПАВ, м.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000