Федосов В.И.
Изобретатель Федосов В.И. является автором следующих патентов:
![Способ измерения электрофизических параметров полупроводников и устройство для его реализации Способ измерения электрофизических параметров полупроводников и устройство для его реализации](/img/empty.gif)
Способ измерения электрофизических параметров полупроводников и устройство для его реализации
1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддержив...
822705![Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
(19)SU(11)1228722(13)A3(51) МПК 5 H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патентуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобр...
1228722![Способ подстройки частоты кварцевых резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ подстройки частоты кварцевых резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ подстройки частоты кварцевых резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к области радиоэлектроники. Целью изобретения является расширение пределов подстройки частоты и повышение ее точности. Подстройку частоты кварцевого резонатора на поверхностных акустических волнах осуществляют после измерения его частоты и сравнения ее с заданной путем его нагрева в течение 20 - 40 мин. Температуру нагрева выбирают из выражения f/fo, где Т - температ...
1313314![Резонатор на поверхностных акустических волнах Резонатор на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Резонатор на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в резонаторах на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобретения является повышение технологичности конструкции резонатора. Резонатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, один или несколько встречно-штыревых преобразователей (ВШП) 2 ПАВ с электродами 3, расположенными в углублениях пьезоэлектрической подл...
1313317![Способ изготовления устройств на поверхностных акустических волнах Способ изготовления устройств на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления устройств на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к радиоэлектронике. Цель изобретения - повышение качества изготавливаемых устройств. Способ изготовления устройств на поверхностных акустических волнах, включает формирование на пьезоэлектрической подложке токопроводящего слоя электродов и электрических шин встречно-штыревых преобразователей (ВШП), одновременное формирование между электрическими шинами ВШП токопрово...
1419474![Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - повышение точности настройки. Предварительную настройку частоты производят путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450°С, а обработку в плазме аргона проводят в течение соответствующего времени. Проводится соотношение врем...
1750406![Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов. Обработку рабочей поверхности кристалла резонаторов пучком ионов аргона ведут при энергии 4 - 5 кэВ в течение 2 - 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 - 8 мин. 1 табл. Из...
1762726![Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов за счет повышения адгезии фоторезиста к поверхности подложки. При обработке поверхности пьезоэлектрической подложки проводят ионно-химическое травление на глубину 80 - 120 нм, при этом использу...
1762727![Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретения - увеличение процента выхода годных резонаторов. В предложенном способе настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах перед измерением центральной частоты дополнительно проводят обработку резонатора в плазм...
1783947![Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах](/img/empty.gif)
Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение выхода годных резонаторов. Для этого в способе изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах после напыления металла наносят второй слой фоторезистора, в котором вскрывают окна над структурами...
1783948![Лебедка Лебедка](/img/empty.gif)
Лебедка
Использование: машиностроение. Лебедка содержит раму, двигатель, тормоз, барабан, опору, входную и выходную планетарные ступени. Опора выполнена в виде фланца и цапфы, которая с выходной ступенью размещена в полости барабана. Центральное колесо соединено с барабаном с возможностью плавания. Водило входной ступени имеет стакан, при помощи которого оно соединено с фланцем. Входная ступень р...
2021970