Веденеев А.С.

  COKH СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РГСПУВЛИК (s»s Н 01 L21/66 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3825029/25 (22) 12.12.84 (46) 15.10.93. Бюл. Ьр 37-38 (71) Институт радиотехники и электроники AH СССР (72) В.И.Бугаев, А,С.Веденеев и А.",.Æäàí (5á) Блад П., Сртон Дж,В, Методы измерения электрических свойств полупроводников. — Зарубежнав Радиоэлектр...

 Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках, содержащее первый усилитель ЭДС Холла, входы которого подключены к холловским контактам первого полупроводникового образца, второй усилитель ЭДС Холла, выходы которого подключены к холловским контактам второго полупроводникового образца, и дифференциальный операционный усилитель, подключенный инвертирующим входом к...

 Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат д...