АНДРЮШИН СЕРГЕЙ ЯКОВЛЕВИЧ

  Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения. Целью изобретения является повышение пороговой чувствительности фотодиода за счет снижения темнового тока. Фотодиод выполнен на основе полупроводникового кристалла. Он содержит р-ппереход, полевой электрод и диэлект - рическую пленку. Пленка размещена над выходом р-п перехода на поверхно...

  Изобретение относится к области микрофотозлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемным устройствам (ФПУ). Цель - уменьшение выходного токового шума ФПУ. ФПУ содержит фотодиод, выполненный в полупроводниковой подложке, предусилитель . Удельное сопротивление подложки удовлетворяет условию о 0,(A/ Й1,),Ч гдер - удельное сопротивление подложки. Ом.см; 1ц - напряжение шума п...