Фотодиод

Фотодиод

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения. Целью изобретения является повышение пороговой чувствительности фотодиода за счет снижения темнового тока. Фотодиод выполнен на основе полупроводникового кристалла. Он содержит р-ппереход, полевой электрод и диэлект - рическую пленку. Пленка размещена над выходом р-п перехода на поверхность . Полевой электрод вьтолнен в виде двух концентрических элементов с зазором между ними. Ширина зазора не более ширины области объемного заряда в месте выхода р-п-перехода на поверхность. Каждый элемент снабжен электрическим выводом. 1 ил. (Л с ьр СП О) о 00

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

А1

„„Я0„„125610 (59 4 Н 01 L 31/06

OllHGAHHE ИЗОБРКТЕНИЯ

E(" .l""-9 ь Я

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Н А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3703637/24-25 (22) 23. 12 ° 83 (46) 07.09.86. Бюл. У 33 (72) И.И. Таубкин, С.Я. Андрюшин и Ю.M. Люстров (53) 621.382(088.8) (56) Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. М.: Советское радио, 1970, с. 248.

Schroder D.Ê., Transparent gate

silicon photodetectors, LEEK. J. of

Solid.-State Circuits, 1978, V.

SC-13, No 1, р. 19. (54) ФОТОДИОД (57) Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения. Целью изобретения является повышение пороговой чувствительности фотодиода за счет снижения темнового тока. Фотодиод выполнен на основе полупроводникового кристапла. Он содержит р-ипереход, полевой электрод и диэлектрическую пленку. Пленка размещена над выходом р-и-перехода на поверхность. Полевой электрод выполнен в виде двух концентрических элементов с зазором между ними. Ширина зазора не более ширины области объемного за- 3 ряда в месте выхода р-и-перехода на поверхность. Каждый элемент снабжен электрическим выводом. 1 ил. С:

1256108

Формула изобретения

71

Составитель П. Бирюлин

Техред А.Кравчук Корректор Л. Пилипенко

Редактор А. Сабо

Заказ 4831/52 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, 1:осква, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения.

Цель изобретения — улучшение пороговой чувствительности фотодиода за счет снижения темнового тока, На чертеже изображена структура: предлагаемого фотодиода.

Фотодиод содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором выполнен

p-n-переход 2, слой диэлектрика 3, кольцевой полевой электрод 4, выполненный в виде двух концентрических элементов 5 и 6, разделенных промежутком 7, электрическое выводы от 15 элементов полевых электродов 8 и 9, электрические выводы от р до и областей 10 и 11.

Пример. В фотодиоде, структура которого изображена на фиг. 1, полупроводниковый кристалл из кремния и-типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Ом см, диэлектрик—

25 двуокись кремния, элементы полевого электрода выполнена из поликремния и разделены слоем двуокиси кремния, полученной окислением поликремния одного из элементов полевого электрода.

Величина зазора между элементами полевого электрода равна О, 1 мкм.

Фотодиод на основе полупроводникового кристалла, содержащий р-п-переход и размещенные над выходом р-пперехода на поверхность диэлектрическую пленку и полевой электрод, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения пороговой чувстви- тельности за счет снижения темново-, го тока, полевой электрод выполнен в виде двух концентрических элементов с зазором между ними, ширина которого не менее величины, обеспечивающей электрическую изоляцию между элементами, и не более ширины области объемного заряда в месте выхода р-и-перехода на поверхность кристалла, при

1 этом каждый элемент снабжен электрическим выводом.