КСИАО Тонгсан Д. (US)
Изобретатель КСИАО Тонгсан Д. (US) является автором следующих патентов:
Наноструктурные окиси и гидроокиси и способы их синтеза
Изобретение относится к получению наноструктурных материалов химическим путем. Способ включает распыление раствора реагента в предшествующий раствор для образования осадка наноструктурной окиси или гидроокиси. Осадок затем подвергается тепловой обработке с последующей обработкой ультразвуком или обработке ультразвуком с последующей тепловой обработкой. Этот способ дает наноструктурную лег...
2194666